[发明专利]一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路

权利要求书

1.一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括随机信号发生器、若干路分别与随机信号发生器输出端相连的高速电平转换器以及若干路分别连接高速电平转换器输出端的射频三极管及其电阻网络单元；

所述随机信号发生器依据随机编码逻辑产生一路随机编码信号，所述随机编码信号传递至所述高速电平转换器，所述高速电平转换器将所述随机编码信号转换成低压正发射极耦合逻辑电平，所述低压正发射极耦合逻辑电平驱动对应的射频三极管导通，所述射频三极管输出相应幅度的电平，任意时刻只有一路射频三极管导通。

2.根据权利要求1所述的一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：将一个高速电平转换器及与其对应的一个射频三极管及其电阻网络单元看做一个基本单元，所述基本单元有n(n≥3)个。

3.根据权利要求1所述的一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：第1至n-1个射频三极管及其电阻网络单元包括一射频三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻，第n个射频三极管及其电阻网络单元包括一射频三极管、第一电阻、第二电阻；

所有射频三极管的基极分别通过第一电阻连接到所述射频三极管的发射极，所有射频三极管的集电极分别通过第二电阻汇聚至同一输出节点N，第1至n-1个射频三极管的集电极分别通过第三电阻连接到供电电源VDD，相位调制器等效阻抗RL一端连接输出节点N，另一端与供电电源VDD相连，所有射频三极管的发射极连接到电源VE。

4.根据权利要求1所述的一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：所述射频三极管选用基于SiGe工艺，截止频率ft大于37GHz。

5.根据权利要求1所述的一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：所述电源VDD中引入负温度补偿系数。

6.根据权利要求5所述的一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：所述负温度补偿系数通过含有与温度呈负相关的NTC电阻的低压差线性稳压器LDO来实现，电源Vin连接到所述低压差线性稳压器LDO的电源输入端Vin，且所述电源输入端Vin通过电容Cin接地，所述低压差线性稳压器LDO的输出端Vo连接到所述电源VDD，且所述输出端Vo通过电容Co接地，所述输出端Vo与所述电源VDD之间连接有多个电阻组成的阻抗网络，所述阻抗网络包括电阻R_M、电阻Ro、电阻NTC、电阻R_N，所述电阻Ro和所述电阻NTC串联后再与所述电阻R_M并联，并联之后的网络一端接所述电源VDD，另一端接低压差线性稳压器LDO的内部基准电压端FB并且与所述电阻R_N串联后接地。

7.根据权利要求6所述的一种基于射频三极管的高速多电平量子相位驱动电路，其特征在于：所述低压差线性稳压器LDO提供给所述电源VDD的稳定电压为：

V_DD＝{1+[R_M||(R_O+R_NTC)]/R_N}*V_FB

其中，R_M为所述电阻R_M的阻值，R_O为所述电阻Ro的阻值，R_NTC为所述电阻NTC的阻值，R_N为所述电阻R_N的阻值，V_FB为所述低压差线性稳压器LDO的内部基准电压，通过选取合适的NTC电阻并配置合适的所述电阻Ro、所述电阻R_M和所述电阻R_N的阻值，即得到所需要的负温度补偿系数。