[发明专利]一种高性能硅基复合材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 202111618144.X | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN116364867A | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 王静;罗飞 | 申请(专利权)人: | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/58 |
代理公司: | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人: | 白洁 |
地址: | 213300 江苏省常州市溧*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高性能硅基复合材料,其特征在于,所述高性能硅基复合材料中包括锂元素和导电物质;
所述锂元素占高性能硅基复合材料总质量的0%-20%;所述导电物质占高性能硅基复合材料总质量的0.1%-20%;
所述高性能硅基复合材料的微观结构为多相弥散结构;所述多相弥散结构由气态原料均匀混合得到;所述气态原料包括:气态的硅源材料、气态的锂源材料和气态的导电物质;
所述高性能硅基复合材料的粒径D50在1nm-100μm,比表面积在0.5m2/g-40m2/g之间。
2.根据权利要求1所述的高性能硅基复合材料,其特征在于,所述气态的硅源材料包括:气化的硅粉和/或气化的二氧化硅;
所述气态的锂源材料包括:气化的无机锂源和/或气化的有机锂源;
所述气态的导电物质包括:气化的导电聚合物和/或气化的导电非金属单质。
3.根据权利要求1所述的高性能硅基复合材料,其特征在于,所述硅源材料包括:硅粉和/或二氧化硅粉;
所述导电物质包括:导电聚合物和/或导电非金属单质;
所述导电聚合物是由具有共轭π键和/或得失电子能力强的原子或基团,经化学或电化学掺杂后的高分子聚合物,具备达到半导体或导体电导率的一类高分子材料,具体包括:聚乙炔,聚环氧乙烷、聚丁二酸乙二醇酯、聚癸二酸乙二醇、聚苯乙烯、1,8-二氨基萘、聚吡咯、聚噻吩、聚对苯撑或聚苯胺中的一种或多种;
所述导电非金属单质包括:石墨烯、多壁碳纳米管、单壁碳纳米管、导电炭黑或导电碳纤维中的一种或多种;
所述锂源材料包括:有机锂源和/或无机锂源;
所述有机锂源包括:丁基锂和/或苯基锂;
所述无机锂源包括:碳酸锂、氮化锂、磷酸锂、锰酸锂或金属锂中的一种或多种。
4.一种上述权利要求1-3任一所述的高性能硅基复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
将原料硅源材料和锂源材料按比例混合均匀,放入第一炉腔内,抽真空至60Pa-190Pa,在1000℃-2000℃之间加热,保温0.5小时-4小时,得到第一气源;
将所述第一气源引入到第二炉腔内;
将含导电物质的浆料通过雾化器进行雾化,得到呈雾状的第二气源,将第二气源喷射入所述第二炉腔内,使所述第一气源和所述第二气源混合得到混合气体;
将所述混合气体在不锈钢衬底上冷却沉积,对沉积的物料进行粉碎和筛分后,得到高性能硅基复合材料;
所述锂源材料中的锂元素占高性能硅基复合材料总质量的0%-20%;所述导电物质占高性能硅基复合材料总质量的0.1%-20%。
5.根据权利要求4所述的高性能硅基复合材料的制备方法,其特征在于,所述硅源材料包括:硅粉和/或二氧化硅粉;
所述导电物质包括:导电聚合物和/或导电非金属单质;
所述导电聚合物是由具有共轭π键和/或得失电子能力强的原子或基团,经化学或电化学掺杂后的高分子聚合物,具备达到半导体或导体电导率的高分子材料,具体包括:聚乙炔、聚环氧乙烷、聚丁二酸乙二醇酯、聚癸二酸乙二醇、聚苯乙烯、1,8-二氨基萘、聚吡咯、聚噻吩、聚对苯撑或聚苯胺中的一种或多种;
所述导电非金属单质包括:石墨烯、多壁碳纳米管、单壁碳纳米管、导电炭黑或导电碳纤维中的一种或多种;
所述锂源材料包括:有机锂源和/或无机锂源;所述有机锂源包括:丁基锂和/或苯基锂;所述无机锂源包括:碳酸锂、氮化锂、磷酸锂、锰酸锂或金属锂中的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的高性能硅基复合材料的制备方法,其特征在于,所述含导电物质的浆料由所述导电物质和有机溶剂混合得到;
所述有机溶剂包括:甲苯、丙酮、异丙醇、四氢呋喃、乙酸、环戊基甲醚、二甲基甲酰胺、环丁砜、柠檬烯或γ-戊内酯中的一种或多种。
7.根据权利要求4所述的高性能硅基复合材料的制备方法,其特征在于,所述通过雾化器进行雾化的雾化方法包括:压力雾化、转盘雾化或声波雾化中的一种。
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