[发明专利]LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成外延结构及退火层，所述外延结构位于所述基底的上表面，所述退火层位于所述外延结构的上表面，所述退火层暴露出所述外延结构；所述退火层在退火处理时向所述外延结构内注入电子，以提高所述外延结构内的空穴浓度；

于所述退火层的上表面及暴露出的所述外延结构上形成第一电极。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述退火层的上表面及暴露出的所述外延结构上形成第一电极之后，还包括：

对所述第一电极施加电流，并对所得结构进行所述退火处理；

其中，施加的电流为1mA-40mA；所述退火处理的温度为150℃-450℃，所述退火处理的时间为5min-50min，所述退火处理的气氛包括氮气氛围及/或氧气氛围。

3.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述基底包括由下至上依次叠置的衬底、缓冲层、非掺杂层及N型半导体层；所述形成外延结构及退火层，包括：

于所述基底的上表面形成发光材料层；

于所述发光材料层的上表面形成P型氮化物叠层材料层；

于所述P型氮化物叠层材料层的上表面形成退火材料层；

依次刻蚀去除部分所述退火材料层、部分所述P型氮化物叠层材料层及部分所述发光材料层，以暴露出所述N型半导体层，并形成由下至上依次叠置的形成发光层、P型氮化物叠层及退火层，所述发光层及所述P型氮化物叠层共同构成所述外延结构；

形成所述退火层之后，还包括：于暴露出的所述N型半导体层的上表面形成第二电极。

4.根据权利要求3所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述于所述发光材料层的上表面形成P型氮化物叠层材料层，包括：

于所述发光材料层的上表面形成第一P型氮化物材料层；

于所述第一P型氮化物材料层的上表面形成P型氮化物阻挡材料层；

于所述P型氮化物阻挡材料层的上表面形成非掺杂氮化物材料层；

于所述非掺杂氮化物材料层的上表面形成第二P型氮化物材料层；

刻蚀所述部分所述P型氮化物叠层材料层之后，形成由下至上依次叠置的第一P型氮化物层、P型氮化物阻挡层、非掺杂氮化物层及第二P型氮化物层，所述第一P型氮化物层、所述P型氮化物阻挡层、所述非掺杂氮化物层及所述第二P型氮化物层共同构成所述P型氮化物叠层。

5.根据权利要求4所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二P型氮化物层内具有镁-氢络合物；所述退火层向所述第二P型氮化物层内注入电子，所述电子捕获镁-氢键分解形成氢离子，以提高所述第二P型氮化物层内的空穴浓度。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述形成退火层之后，还包括：

刻蚀所述退火层，以于所述退火层内具有开口，所述开口暴露出所述外延结构的上表面；

其中，所述退火层包括N型氮化物层，所述于所述退火层的上表面及暴露出的所述外延结构上形成第一电极包括：

于所述退火层的上表面形成第一N型电极，并于所述开口内形成第一P型电极，所述第一P型电极与所述第一N型电极共同构成所述第一电极。

7.一种LED芯片，其特征在于，包括：

基底；

外延结构，位于所述基底的上表面；

退火层，位于所述外延结构的上表面，所述退火层暴露出所述外延结构；所述退火层在退火处理时向所述外延结构内注入电子，以提高所述外延结构内的空穴浓度；

第一电极，位于所述退火层的上表面及暴露出的所述外延结构上。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述外延结构包括由下至上依次叠置的发光层和P型氮化物叠层；所述P型氮化物叠层包括由下至上依次叠置的第一P型氮化物层、P型氮化物阻挡层、非掺杂氮化物层及第二P型氮化物层。