[发明专利]一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法

说明书

一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺杂多晶硅层、TCO层以及背面电极；其中，所述功能层包括层，所述层上端面镂空设置有TCO沉积层，所述正面电极设于所述TCO沉积层上；本发明还公开其制备方法，通过引入局部TCO接触以及低温银浆技术，将隧穿钝化接触结构应用在TOPCON电池正背面，并且正面采用局部的TCO接触，不仅减小了PVD对正面钝化层的溅射损失、降低了TCO的寄生吸收、还减小了TCO的消耗降低成本。

技术领域

本发明属于太阳能电池加工技术领域，特别涉及一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法。

背景技术

目前现有的topcon电池通常采用100nm以上的多晶硅掺杂层，这样可以较好的防止后续高温丝网印刷的银浆烧结扩散进入到隧穿层以及体硅中，带来不必要的复合。

由于掺杂多晶硅本身存在较强的寄生吸收，厚度过大，不仅带来工艺成本的提高，还对性能有较大的损失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺杂多晶硅层、TCO层以及背面电极；其中，所述功能层包括层，所述层上端面镂空设置有TCO沉积层，所述正面电极设于所述TCO沉积层上。

作为优选，所述TCO层的厚度为20nm-30nm。

作为优选，所述层的厚度为0.3-3nm，所述n型掺杂多晶硅层的厚度为15-300nm。

作为优选，所述层的厚度为20nm-30nm，所述p型掺杂多晶硅层的厚度为15-300nm。

一种制备如上述方案所述的局部双面隧穿钝化接触结构电池的方法，包括如下步骤：

S1、提供n型硅基底，对所述n型硅基底清洗后制绒；

S2、采用LPCVD直接进行双面隧穿；

S3、本征多晶硅制备；

S4、离子注入分别制备正面p型掺杂多晶硅层以及背面n型掺杂多晶硅层；

S5、功能层制备；

S6、n型硅基底背面整面TCO沉积，制备TCO层；

S7、采用丝网印刷生成正面电极以及背面电极。

作为优选，S1包括：对n型硅基底制绒形成金字塔状陷光结构。

作为优选，S5包括：

S50、先用掩膜露出层需要制备的区域进行膜层制备；

S51、再利用掩膜遮挡住已沉积层区域，随后进行局部TCO的沉积。

与现有技术相比，本技术方案具有如下效果：

通过引入局部TCO接触以及低温银浆技术，将隧穿钝化接触结构应用在TOPCON电池正背面，并且正面采用局部的TCO接触，不仅减小了PVD对正面钝化层的溅射损失、降低了TCO的寄生吸收、还减小了TCO的消耗降低成本。

附图说明

图1是本发明整体结构示意图。

图中：1-n型硅基底；2-层；3-p型掺杂多晶硅层；4-层；5-正面电极；6-TCO沉积层；7-n型掺杂多晶硅层；8-TCO层；9-背面电极。

具体实施方式