[发明专利]半导体的加工方法

权利要求书

1.一种半导体的加工方法，其特征在于，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：

将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；

将所述一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，所述第二减薄盘上的金刚石颗粒小于所述第一减薄盘上的金刚石颗粒，所述第二减薄盘的旋转速度小于所述第一减薄盘的旋转速度；

将所述二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，所述第三减薄盘上的金刚石颗粒小于所述第二减薄盘上的金刚石颗粒，所述第三减薄盘的旋转速度小于所述第二减薄盘的旋转速度。

2.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第一减薄盘上的金刚石颗粒为450-550um。

3.如权利要求2所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第二减薄盘上的金刚石颗粒为200-300nm。

4.如权利要求3所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第三减薄盘上的金刚石颗粒为40-60nm。

5.如权利要求1或2所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第一减薄盘的旋转速度为45-55rpm。

6.如权利要求5所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第二减薄盘的旋转速度为25-35rpm。

7.如权利要求6所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第三减薄盘的旋转速度为10-20rpm。

8.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于，在所述第一次减薄研磨的步骤中，所述二氧化硅基体的减薄量为25-35um；在所述第二次减薄研磨的步骤中，所述二氧化硅基体的减薄量为10-15um；在所述抛光研磨的步骤中，所述二氧化硅基体的减薄量为4-6nm。

9.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于，所述第一减薄盘、所述第二减薄盘和所述第三减薄盘的材料为锡盘。

10.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于，在所述第一次减薄研磨、所述第二次减薄研磨和所述抛光研磨的步骤中，所采用的研磨液的主要成分为铵氢氧化物，pH值为10。