[发明专利]光转换材料及其制备方法

说明书

本发明公开一种光转换材料及其制备方法，其中该光转换材料包括：光转换混掺颗粒、包覆光转换混掺颗粒的第一包覆材料、以及形成于第一包覆材料上并包覆光转换混掺颗粒的第二包覆材料。所述的光转换混掺颗粒包含基质，以及均匀地分散于基质中的多个量子点。所述第一包覆材料包括氧化硅。所述第一包覆材料的FTIR的图谱中，于939cmsupgt;‑1/supgt;的吸亮度(Asubgt;939/subgt;)与于1000～1150cmsupgt;‑1/supgt;的吸亮度峰值(Asubgt;1000～1150/subgt;)的比值α(吸亮度比α：Asubgt;939/subgt;/Asubgt;1000～1150/subgt;)小于等于0.8。

技术领域

本发明涉及一种光转换材料及其制备方法，特别是涉及一种包含量子点的光转换材料及其制备方法。

背景技术

量子点(quantum dots,QDs)是纳米级的半导体材料，通常具有由约数百个原子到约数千个原子所形成的晶体结构。量子点具有光致发光(photoluminescence)特性。相较于现有的有机染料分子，量子点的优点包括：较高的荧光亮度、较佳的安定性以及可调整的荧光波长等。

量子点是极具潜力的材料，且可应用于广泛的用途，例如，激光组件、光感测组件、内存组件、太阳光电组件、显示器组件、生物检测组件等。

然而，量子点在照光及含有水以及氧的环境下容易被氧化。量子点被氧化会导致其发光波长位移、发光频谱半高宽变宽、以及量子效率衰减等问题。

因此，在本领域中仍需寻求较佳且可避免其中的量子点被氧化或受水气劣化的光转换材料及其制备方法，以提供具有更好的光学特性以及使用寿命的光转换材料。

发明内容

本发明的一些实施例提供一种光转换材料，其包括：光转换混掺颗粒、包覆光转换混掺颗粒的第一包覆材料、以及形成于第一包覆材料上并包覆光转换混掺颗粒的第二包覆材料。所述的光转换混掺颗粒包含基质，以及均匀地分散于基质中的多个量子点。所述第一包覆材料包括氧化硅。所述第一包覆材料的傅立叶变换红外光谱(Fourier-transforminfrared spectroscopy,FTIR)的图谱中，于939cm^-1的吸亮度(A₉₃₉)与于1000～1150cm^-1的吸亮度峰值(A_1000～1150)的比值α(吸亮度比α：A₉₃₉/A_1000～1150)小于等于0.8。

本发明的一些实施例提供一种光转换材料的制备方法，其包括：形成一光转换混掺颗粒；以酸碱两步法形成第一包覆材料于该光转换混掺颗粒的表面上；以及以原子层沉积法形成第二包覆材料于该第一包覆材料上。所述的光转换混掺颗粒包含基质，以及均匀地分散于基质中的多个量子点。所述第一包覆材料包括氧化硅。所述第一包覆材料的傅立叶变换红外光谱(Fourier-transform infrared spectroscopy,FTIR)的图谱中，于939cm^-1的吸亮度(A₉₃₉)与于1000～1150cm^-1的吸亮度峰值(A_1000～1150)的比值α(吸亮度比α：A₉₃₉/A_1000～1150)小于等于0.8。

本发明的一些实施例提供一种包括前述光转换材料的显示设备。

本发明的一些实施例提供一种包括前述光转换材料的照明装置。

为让本发明实施例的特征和优点能更明显易懂，下文配合所附附图，对本发明进行详细说明。

附图说明

以下参考附图详细描述本发明的例示性实施例，其中：

图1为本发明的一些实施例的光转换材料的示意图；