[发明专利]滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种滤波器，包括：

中心谐振器；以及

至少一个环形谐振器，围绕所述中心谐振器设置并且电连接到所述中心谐振器，

其中，所述中心谐振器和所述至少一个环形谐振器均包括沿竖直方向依次设置的下电极、压电层和上电极，以及

其中，在所述中心谐振器和/或所述至少一个环形谐振器的下电极中设置有声反射结构。

2.根据权利要求1所述的滤波器，

其中，在所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间以及在所述至少一个环形谐振器彼此之间设置有声阻抗失配结构。

3.根据权利要求2所述的滤波器，

其中，所述声阻抗失配结构是隔离槽。

4.根据权利要求1所述的滤波器，

其中，所述中心谐振器具有圆形、椭圆形、多边形或异形的形状，以及

其中，所述至少一个环形谐振器被形成为与所述中心谐振器的形状相对应的环形。

5.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述声反射结构是空腔或布拉格反射器。

6.根据权利要求1所述的滤波器，其中，在所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间形成并联和/或串联的电连接。

7.根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间的所述电连接通过所述上电极和/或所述下电极实现。

8.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述声反射结构设置在所述下电极的上表面中和/或下表面中和/或内部。

9.根据权利要求1所述的滤波器，其中，在所述下电极的中心和/或至少一侧设置有用于支承所述压电层的支承结构。

10.根据权利要求9所述的滤波器，其中，所述支承结构由选自SiN、Al₂O₃、Al和SiO₂中的至少之一的多孔材料制成。

11.根据权利要求1所述的滤波器，其中，在所述上电极和/或所述下电极中设置有用于减小与所述竖直方向垂直的水平方向上的声波传播的微结构。

12.根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述微结构包括桥式结构和/或翼形结构。

13.根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述压电层掺杂有以下掺杂元素中的至少之一：Ti、Sc、Mg、Zr、Hf、Sb、Y、Sm、Eu、Er、Ta、Cr、B、Ga和In。

14.一种滤波器的制造方法，

所述滤波器包括：

中心谐振器；以及

至少一个环形谐振器，围绕所述中心谐振器设置并且电连接到所述中心谐振器，

其中，所述中心谐振器和所述至少一个环形谐振器均包括沿竖直方向依次设置的下电极、压电层和上电极，

所述制造方法包括：

在衬底上形成所述下电极；

在所述中心谐振器和/或所述至少一个环形谐振器的下电极中形成声反射结构；

在所述下电极上形成覆盖所述声反射结构的所述压电层；以及

在所述压电层上形成所述上电极。

15.根据权利要求14所述的制造方法，还包括：在所述中心谐振器与所述至少一个环形谐振器之间以及在所述至少一个环形谐振器彼此之间形成声阻抗失配结构。

16.根据权利要求15所述的制造方法，

其中，所述声阻抗失配结构是隔离槽。