[发明专利]一种半导体元件柔性封装剂及其制备方法与薄膜封装方法

权利要求书

1.一种半导体元件柔性封装剂，其特征在于，按照总重量为100份计算，包括以下重量份数的组分：改性笼型低聚倍半硅氧烷10-50份、第一丙烯酸酯稀释剂40-85份、第二丙烯酸酯稀释剂3-15份、光引发剂0.1-10份；

所述改性笼型低聚倍半硅氧烷的结构式如通式(Ⅰ)所示：

其中，R₁、R₂各自独立地为取代或未取代的C_1-20亚烷基、取代或未取代的C_1-30的亚烷基醚基、取代或未取代的C_6-30亚芳基和取代或未取代的C_7-30芳亚烷基中的一种；其中R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈各自独立地为取代或未取代的C_1-20烷基、取代或未取代的C_1-30的烷基醚基、取代或未取代的C_6-30芳基、取代或未取代的C_7-30芳烷基和氟代烷基中的一种；

Y₁、Y₂各自独立地为以下结构中的一种：

X的结构式如下：

其中，R为甲基或氢；

所述第一丙烯酸酯稀释剂的结构式如通式(Ⅱ)所示：

其中，R为甲基或氢；n＝2～20且n为正整数；

所述第二丙烯酸酯稀释剂为三羟甲基丙烷三丙烯酸酯或季戊四醇四丙烯酸酯中的一种。

2.如权利要求1所述的半导体元件柔性封装剂，其特征在于，所述改性笼型低聚倍半硅氧烷为具有以下结构式A-1、A-2、A-3、A-4、A-5、A-6、A-7、A-8或A-9的化合物：

3.如权利要求1所述的半导体元件柔性封装剂，其特征在于，所述光引发剂为酰基氧化膦、ɑ-羟基酮、ɑ-氨基酮或乙醛酸苯酯中的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体元件柔性封装剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：氮气氛围下，将改性笼型低聚倍半硅氧烷、第一丙烯酸酯稀释剂、第二丙烯酸酯稀释剂和光引发剂在避光条件下混合后浸泡即得所述半导体元件柔性封装剂。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述混合的时间为2-3h，浸泡步骤为采用活化的4A分子筛浸泡30-50h。

6.一种半导体元件的薄膜封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在柔性基板上集成半导体元件；

S2：于S1中的半导体元件表面沉积一层无机材料，得到一层厚度为5-1000nm的无机层；

S3：于S2中所述的无机层表面沉积一层如权利要求1-3任一项所述的半导体元件柔性封装剂，然后紫外光固化，得到一层有机层；

S4：于S3中所述的有机层表面再沉积一层无机材料，得到另一层厚度为5-1000nm的无机层，实现所述半导体元件的薄膜封装；

其中，S2和S4中所述无机材料各自独立地为氮化硅、氧化钛、氧化铝或氧化硅中的至少一种。

7.如权利要求6所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述半导体元件为OLED、Micro-LED、硅基半导体元件、AsGa半导体元件或磷化镓半导体元件中的一种。