[发明专利]一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料，其特征在于：该材料的化学式为Mg_x(Ti_0.35V_0.35Nb_0.2Cr_0.1)_1-x，其中x=0.01~0.25。

2.根据权利要求1所述的含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）按配比称取Mg、Ti、V、Nb、Cr五种原料金属粉末，在手套箱中将称取的原料金属粉末倒入球磨罐中，按一定的球料比加入磨球，然后倒入正庚烷没过磨球；

2）将球磨罐密封后放于高速振动球磨机上湿磨一段时间，湿磨结束后冷却至室温；

3）在手套箱中取下球磨罐盖，去除正庚烷，即可得到含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1）中，Mg粉的纯度≥99.5％，Ti、V、Nb及Cr原料金属粉末的纯度≥99％，所有原料粉末粒度不低于200目。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1）中，球料比为20～30:1。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤1）中，正庚烷的纯度≥99％。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中，湿磨时间为30～40h。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中，正庚烷高速振动球磨机的摆振频率为1200周/min，每运行30min停10min。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤3）中，去除正庚烷的操作为：用胶头滴管将粉末上方的正庚烷抽出，剩余少量正庚烷采用过渡仓抽真空的方法去除。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：抽真空时间为1～2h。