[发明专利]一种异质结电池双制绒清洗工艺及装置

权利要求书

1.一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：

包括以下步骤：

步骤一：进料，准备好待处理的硅片；

步骤二：粗抛，利用氢氧化钾药液对硅片进行反应处理，除去硅片上的机械切割损伤层；

步骤三：预清洗，在水槽内用水清洗硅片，清洗前道硅片上的残留药液；

步骤四：碱洗，利用氢氧化钾和过氧化氢的混合溶液对硅片进行反应处理，除去硅片表面有机物质；

步骤五：预制塔基，利用氢氧化钾药液对硅片进行反应处理，形成金字塔塔基；

步骤六：用水冲洗；

步骤七：第一次制绒，用氢氧化钾与添加剂的混合溶液对硅片进行反应处理；

步骤八：用水冲洗；

步骤九：第二次制绒，用氢氧化钾与添加剂的混合溶液对硅片进行反应处理；

步骤十：用水冲洗；

步骤十一：碱洗，利用氢氧化钾和过氧化氢的混合溶液对硅片进行反应处理，去除添加剂中的有机物质；

步骤十二：用水冲洗；

步骤十三：CP修饰，此过程在修饰槽也称CP槽中进行，利用氢氟酸和盐酸的混合溶液对硅片进行反应处理；

步骤十四：用水冲洗；

步骤十五：第一次酸洗，用盐酸和过氧化氢的混合溶液对硅片进行第一次酸洗；

步骤十六：用水冲洗；

步骤十七：第二次酸洗，利用氢氟酸对硅片进行第二次酸洗，去除硅片表面的二氧化硅氧化层，并对硅片表面进行疏水；

步骤十八：用水冲洗；

步骤十九：烘干，在烘干槽内进行，通过高温烘干硅片表面的水分；

步骤二十：出料。

2.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤二和步骤五中采用的药液中氢氧化钾的体积浓度为5%~30%。

3.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤四为碱洗过程，混合溶液中氢氧化钾和过氧化氢的体积浓度分别为1.2%和12%。

4.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤七和步骤九的两次制绒过程中氢氧化钾的体积浓度范围为2%~6%，添加剂体积浓度为0.2~0.6%。

5.根据权利要求4所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述添加剂的成分包括碳酸钾、维生素、蛋白酶、聚乙二醇和清洗剂。

6.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤十一为碱洗过程，混合溶液中氢氧化钾和过氧化氢的体积浓度分别为1.2%和12%。

7.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤十三为CP修饰过程，氢氟酸和盐酸的混合溶液中氢氟酸和盐酸的体积浓度分别为0.48%和0.04%。

8.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤十五的第一次酸洗中，盐酸和过氧化氢的混合溶液中盐酸和过氧化氢的体积浓度分别为11.5%和14.4%。

9.根据权利要求1所述的一种异质结电池双制绒清洗工艺，其特征在于：所述步骤十七的第二次酸洗中，氢氟酸的体积浓度为7.7%。

10.一种实施权利要求1的异质结电池双制绒清洗工艺的装置，其特征在于：包括沿着水平方向依次布置的一号进料位（1）、二号粗抛槽（2）、三号预清洗槽（3）、四号碱洗槽（4）、五号预制塔基槽（5）、六号水洗槽（6）、七号一次制绒槽（7）、八号水洗槽（8）、九号二次制绒槽（9）、十号水洗槽（10）、十一号碱洗槽（11）、十二号水洗槽（12）、十三号修饰槽（13）、十四号水洗槽（14）、十五号一次酸洗槽（15）、十六号水洗槽（16）、十七号二次酸洗槽（17）、十八号水洗槽（18）、十九号烘干槽（19）和二十号出料位（20）；

硅片通过挂钩传输依次经过一号进料位（1）、二号粗抛槽（2）、三号预清洗槽（3）、四号碱洗槽（4）、五号预制塔基槽（5）、六号水洗槽（6）、七号一次制绒槽（7）、八号水洗槽（8）、九号二次制绒槽（9）、十号水洗槽（10）、十一号碱洗槽（11）、十二号水洗槽（12）、十三号修饰槽（13）、十四号水洗槽（14）、十五号一次酸洗槽（15）、十六号水洗槽（16）、十七号二次酸洗槽（17）、十八号水洗槽（18）、十九号烘干槽（19）和二十号出料位（20），并依次匹配进行权利要求1中所述的步骤一~步骤二十对应工序。