[发明专利]一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统

权利要求书

1.一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法，其特征在于，包括：

对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体；

对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体；

基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数；

获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线；

获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱，基于所述实时拉曼图谱，结合所述拟合曲线，得到待测位置的温度值。

2.根据权利要求1所述的温度测量方法，其特征在于，所述对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体，具体为：

选取掺钒6H-SiC晶体作为所述碳化硅晶体，对所述碳化硅晶体进行中子辐照，得到所述辐照碳化硅晶体，所述中子辐照的辐照剂量大于或等于1.0×10²⁰n/cm²、辐照温度小于或等于200℃。

3.根据权利要求1所述的温度测量方法，其特征在于，所述对所述辐照碳化硅晶体进行若干个温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体，包括：

对所述辐照碳化硅晶体进行分割，得到M个分割碳化硅晶体；M为退火温度的数量，M为大于1的正整数；

对每个所述分割碳化硅晶体进行不同退火温度的退火处理，每个所述分割碳化硅晶体的退火温度都不同，得到M个分割退火碳化硅晶体，所述退火碳化硅晶体包括M个分割退火碳化硅晶体。

4.根据权利要求3所述的温度测量方法，其特征在于，所述基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数，具体为：

对每个所述分割退火碳化硅晶体，均基于拉曼光谱仪得到N个所述拉曼图谱，P＝M×N。

5.根据权利要求4所述的温度测量方法，其特征在于，所述获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线，包括：

基于碳化硅晶体的标准拉曼图谱，得到波峰半高宽处的频移位置，作为所述设定频移位置；

对每个所述拉曼图谱在所述设定频移位置处的特征峰进行拟合解析，得到P个解析图；

获取每个所述解析图在所述设定频移位置处的解析值，得到P个解析强度；所述解析强度即为所述特征峰半高宽值；

对每个退火温度对应的N个所述解析强度求平均值，得到M个平均半高宽值；

基于M个所述平均半高宽值和M个所述退火温度的对应关系，进行曲线拟合，得到所述拟合曲线。

6.一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量系统，其特征在于，包括：

中子模块，对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体；

退火模块，对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体；

拉曼图谱模块，基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数；

拟合曲线模块，获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线；

温度计算模块，获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱，基于所述实时拉曼图谱，结合所述拟合曲线，得到待测位置的温度值。

7.根据权利要求6所述的温度测量系统，其特征在于，所述中子模块具体为：

选取掺钒6H-SiC晶体作为所述碳化硅晶体，对所述碳化硅晶体进行中子辐照，得到所述辐照碳化硅晶体，所述中子辐照的辐照剂量大于或等于1.0×10²⁰n/cm²、辐照温度小于或等于200℃。