[发明专利]GOA电路、显示面板以及显示设备有效
申请号: | 202111632485.2 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114203112B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 李广耀 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 莫胜钧 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | goa 电路 显示 面板 以及 设备 | ||
本申请涉及一种GOA电路、显示面板以及显示设备;该电路包括上拉模块、上拉控制模块、下拉维持模块、储电模块、第一下拉模块和第二下拉模块,具体的,上拉模块的第一端分别连接上拉控制模块的第一端、下拉维持模块的第一端和储电模块的第一端,第二端分别连接储电模块的第二端和第一下拉模块的第一端,第三端连接下拉维持模块的第二端;下拉维持模块的第三端连接第一下拉模块的第二端,第三端连接第二下拉模块的第一端,第四端连接第二下拉模块的第二端;第二下拉模块的第三端连接上拉控制模块的第一端。本申请GOA电路可以实现宽脉冲输出,同时也可以减少TFT的数量,有利于实现显示设备的窄边化。
技术领域
本申请涉及显示驱动技术领域,特别是涉及GOA电路、显示面板以及显示设备。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示面板的性能也逐渐提高,如显示面板的刷新率、分辨率、寿命等性能都在不断攀升。其中,显示面板中的GOA(Gate on Array,栅阵列)技术由于在成本和功能性上比起COF Gate技术(Chip on film Gate,薄膜覆晶封装栅极)具备很大优势,因而得到广泛地应用。
其中,中等尺寸的OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)产品所需要的GOA技术都使用了宽脉冲模块,该宽脉冲模块需要输出几十微秒的高压信号,因为该宽脉冲模块比较复杂,TFT(Thin Film Transistor,是薄膜晶体管)的数量相对较多,且边沿调整比较复杂,影响了OLED产品边框的缩窄。
发明内容
基于此,有必要针对传统显示设备的类型依然不够丰富,不能满足能够更多的使用场景的问题,提供一种GOA电路、显示面板以及显示设备。
为了实现上述目的,第一方面,本申请实施例提供了一种GOA电路,包括上拉模块、上拉控制模块、下拉维持模块、储电模块、第一下拉模块以及第二下拉模块;
上拉模块的第一端分别连接上拉控制模块的第一端、下拉维持模块的第一端和储电模块的第一端,第二端分别连接储电模块的第二端和第一下拉模块的第一端,第三端分别连接下拉维持模块的第二端和启动电压信号;上拉模块的第二端和储电模块的第二端作为Gate信号的输出端;第一下拉模块的第三端连接第二关闭电压信号;
上拉控制模块的第二端连接时钟信号,第三端连接上一行Gate信号;
下拉维持模块的第三端连接第一下拉模块的第二端,第三端连接第二下拉模块的第一端,第四端分别连接第二下拉模块的第二端和第一关闭电压信号,第五端连接启动电压信号,第六端连接时钟信号;
第二下拉模块的第三端连接上拉控制模块的第一端,第四端连接VST信号。
可选的,上拉模块包括薄膜晶体管T1;薄膜晶体管T1的栅极分别连接上拉控制模块的第一端、下拉维持模块的第一端和储电模块的第一端,源极分别连接储电模块的第二端和第一下拉模块的第一端,漏极分别连接下拉维持模块的第二端和启动电压信号;薄膜晶体管T1的源极作为Gate信号的输出端。
可选的,上拉控制模块包括薄膜晶体管T2;薄膜晶体管T2的源极分别连接薄膜晶体管T1的源极、下拉维持模块的第一端和储电模块的第一端,漏极连接上一行Gate信号,栅极连接时钟信号。
可选的,下拉维持模块包括薄膜晶体管T3、薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、薄膜晶体管T6以及薄膜晶体管T7;
薄膜晶体管T3的漏极分别连接薄膜晶体管T1的漏极和启动电压信号,栅极分别连接薄膜晶体管T1的栅极、薄膜晶体管T5的栅极和薄膜晶体管T7的栅极,源极连接第二下拉模块的第一端;
薄膜晶体管T4的漏极分别连接薄膜晶体管T6的漏极和启动电压信号,栅极连接时钟信号,源极分别连接薄膜晶体管T5的漏极和薄膜晶体管T6的栅极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111632485.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。