[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法和显示装置在审
申请号: | 202111633815.X | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN114335106A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 张民;刘亚伟;张振宇;郭志林;王鹏 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘笑;刘芳 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,具有功能区和围绕至少部分所述功能区的显示区,所述显示面板包括设置于所述功能区的开孔,以及围绕至少部分所述开孔的隔断结构;
沿所述开孔至所述显示区的方向,所述隔断结构靠近所述显示面板的出光面一侧的宽度,大于所述隔断结构远离所述出光面一侧的宽度,且在所述隔断结构的至少一侧壁形成有沟道;
所述隔断结构上开设有通孔,沿所述开孔至所述显示区的方向,所述通孔贯穿所述隔断结构,且与所述沟道连通。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔断结构为多个,沿所述开孔至所述显示区的方向,多个所述隔断结构间隔设置,每个所述隔断结构上均设置有所述通孔;
相邻的所述隔断结构上的所述通孔相互错位。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,同一个所述隔断结构设置有多个所述通孔,多个所述通孔沿所述隔断结构的延伸方向间隔设置;
优选的,所述通孔在所述隔断结构的延伸方向上的分布密度范围为1个/mm-500个/mm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述隔断结构包括层叠设置的隔断支撑层和隔断层,所述隔断层位于所述隔断支撑层靠近所述出光面的一侧;
沿所述开孔至所述显示区的方向,所述隔断层的宽度大于所述隔断支撑层的宽度,所述隔断层远离所述出光面的一侧的面和所述隔断支撑层的侧面形成所述沟道;
所述通孔位于所述隔断支撑层中。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述隔断层包括相互连接第一段和第二段;
沿所述开孔至所述显示区的方向上,所述第一段的宽度大于所述第二段的宽度;
所述第二段在所述隔断支撑层上的正投影与所述通孔至少部分重合。
6.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素层和驱动阵列层,所述像素层位于所述驱动阵列层靠近所述出光面的一侧;
所述像素层包括依次层叠设置阳极层、发光层和阴极层;所述发光层包括共用层,至少部分所述共用层和所述阴极层均延伸至所述开孔,且被所述隔断结构隔断;
优选的,所述驱动阵列层包括薄膜晶体管,所述隔断结构和所述薄膜晶体管的源/漏电极同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层,所述封装层位于所述像素层靠近所述出光面的一侧,所述封装层填充所述通孔。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板具有功能区和围绕至少部分所述功能区的显示区,所述功能区具有开孔区;
所述显示面板的制备方法包括:
形成隔断结构;其中,所述隔断结构围绕至少部分所述开孔区,沿所述开孔区至所述显示区的方向,所述隔断结构靠近所述显示面板的出光面一侧的宽度,大于所述隔断结构远离所述出光面一侧的宽度,且在所述隔断结构的侧壁形成有沟道;
在所述隔断结构上开设通孔,沿所述开孔区至所述显示区的方向,所述通孔贯穿所述隔断结构,且与所述沟道连通。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述隔断结构上开设通孔的步骤中,具体包括:
提供包括层叠设置的隔断支撑层和隔断层的隔断结构;所述隔断层位于所述隔断支撑层靠近所述出光面的一侧;沿所述开孔区至所述显示区的方向,所述隔断层的宽度大于所述隔断支撑层的宽度,所述隔断层的远离所述出光面一侧的面和所述隔断支撑层的侧面形成所述沟道;
在所述隔断支撑层上开设通孔;沿所述开孔区至所述显示区的方向,所述通孔贯穿所述隔断支撑层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的