[发明专利]一种高边电流检测电路在审
申请号: | 202111636818.9 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114487576A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 王浩;杨靖宇;牛伟;张弛;王伟;阎景波 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 |
主分类号: | G01R19/25 | 分类号: | G01R19/25 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 张梦龙 |
地址: | 710065 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 检测 电路 | ||
1.一种高边电流检测电路,其特征在于:包括采样电阻R0、电流镜电路与电源产生电路;
所述采样电阻R0一端与高边供电电源VDD相连,所述采样电阻R0另一端同时和电流镜电路输入端和负载相连,所述电源产生电路输入端与高边供电电源VDD相连,所述电源产生电路输出端与所述电流镜电路相连,所述电流镜电路与高边供电电源VDD相连,所述电流镜电路输出端为电流检测输出信号;
所述采样电阻R0用于采集负载电流,所述电流镜电路用于将采样电阻R0的电流I0转换为成比例关系的输出电压,所述电源产生电路用于向所述电流镜电路提供工作电源。
2.根据权利要求1所述的高边电流检测电路,其特征在于:所述电流镜电路包括匹配电阻R1、输入输出双轨到轨运放U1、P沟道增强型场效应晶体管Q1、转换电阻R2;
所述匹配电阻R1两端分别与负载正端和所述输入输出双轨到轨运放U1正向输入端相连,所述转换电阻R2一端与高边供电电源VDD相连,所述转换电阻R2另一端同时与所述输入输出双轨到轨运放U1负向输入端和所述P沟道增强型场效应晶体管Q1源极相连,所述输入输出双轨到轨运放U1正端供电电源与高边供电电源VDD相连。
3.根据权利要求2所述的高边电流检测电路,其特征在于:所述电流镜电路还包括:采样电阻R3和滤波电容C1,所述采样电阻R3两端分别与所述P沟道增强型场效应晶体管Q1漏极和地相连,所述滤波电容C1两端分别与所述采样电阻R3两端相连。
4.根据权利要求1至3任一项所述的高边电流检测电路,其特征在于:所述电源产生电路包括硅稳压型二极管D1、电阻R4、PNP型晶体管Q2;
所述硅稳压型二极管D1负端与高边供电电源VDD相连,所述硅稳压型二极管D1正端同时与所述电阻R4一端和所述PNP型晶体管Q2的基极相连,所述电阻R4另一端与地短接,所述PNP型晶体管Q2集电极与地短接,所述PNP型晶体管Q2发射极与所述电流镜电路中的输入输出轨到轨运放U1负端电源供电相连。
5.根据权利要求4所述的高边电流检测电路,其特征在于:所述电流镜电路输出电压Vo与流经所述采样电阻R0电流I0的关系为:Vo=[R0*I0*R3]/R2。
6.根据权利要求5所述的高边电流检测电路,其特征在于:所述电流镜电路输出电压的低通截止频率为f=1/(2π*R3*C1)。
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