[发明专利]一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法

权利要求书

1.本发明涉及一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法，其结晶步骤的特征在于：UV1164粗品在要求的溶剂中溶解，结晶前需要在温度范围内加入少量的UV1164低熔点、大颗粒结晶，加入后快速降温结晶。

2.根据权利要求1所述的一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法，其的特征在于：溶解的溶剂种类为甲苯、二甲苯、1,2-二氯乙烷、二氯甲烷、四氢呋喃、乙酸乙酯、乙腈等按照比例进行调配。

3.根据权利要求1所述的一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法，其特征在于：溶解的溶剂种类为甲苯、二甲苯、1,2-二氯乙烷、二氯甲烷、四氢呋喃、乙酸乙酯、乙腈等按照比例进行调配，溶剂的质量是粗品的2-6倍。

4.根据权利要求1所述的一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法，其特征在于：结晶前需要加入少量的UV1164低熔点、大颗粒结晶，加入量为粗品质量的0.1-2%。

5.根据权利要求4所述的一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法，其特征在于：结晶前需要加入少量的UV1164低熔点、大颗粒结晶，所述的加入的温度范围是指溶剂全溶UV1164粗品温度的1.01-1.1倍。

6.根据权利要求1所述的一种高纯度、低熔点、大颗粒的UV-1164结晶新方法，其特征在于：快速降温的速度为10-20℃/h。