[发明专利]对硅片位置进行调准的系统、方法及外延设备

权利要求书

1.一种对硅片相对于外延设备的基座的位置进行调准的系统，其特征在于，所述系统包括：

识别单元，所述识别单元用于根据外延硅片的SFQR图识别通过生长外延层而获得所述外延硅片的硅片在承载于所述基座上时相对于所述基座的偏移量，其中，硅片被所述外延设备的传送机构传送以承载于所述基座上；

调整单元，所述调整单元用于根据所述偏移量对所述传送机构将硅片传送至的位置进行调整使得当硅片承载于所述基座上时相对于所述基座居中。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述传送机构包括伸缩构件和可转动地连接至所述伸缩构件的末端的转动构件，所述硅片被所述传送机构传送时承载在所述转动构件上，所述调整单元调整所述伸缩构件的伸缩量以及所述转动构件的转动量。

3.一种外延设备，其特征在于，所述外延设备包括根据权利要求1至2中任一项所述的系统。

4.根据权利要求3所述的外延设备，其特征在于，所述传送机构将硅片传送至所述基座上方，所述外延设备还包括升降机构，所述升降机构用于使所述基座上方的硅片升起以离开所述传送机构，所述升降机构还用于使升起的硅片降下以承载在所述基座上。

5.根据权利要求4所述的外延设备，其特征在于，所述基座形成有通孔，所述升降机构包括从所述基座的下方穿过所述通孔以对所述硅片进行升降的升降销。

6.根据权利要求3所述的外延设备，其特征在于，所述外延设备还包括围闭出反应腔室以及进气口和排气口的上钟罩和下钟罩，所述基座设置在所述反应腔室中。

7.根据权利要求3所述的外延设备，其特征在于，所述外延设备还包括用于支撑所述基座并在生长所述外延层期间驱动所述基座旋转的基座支撑架。

8.根据权利要求6所述的外延设备，其特征在于，所述外延设备还包括多个加热灯泡，所述多个加热灯泡设置在所述上钟罩和所述下钟罩的外围并用于透过所述上钟罩和所述下钟罩在所述反应腔室中提供高温环境。

9.一种对硅片相对于外延设备的基座的位置进行调准的方法，其特征在于，所述方法包括：

利用所述外延设备的传送机构对硅片进行传送以使硅片承载于所述基座上；

在承载于所述基座上的硅片上生长外延层以获得外延硅片；

根据所述外延硅片的SFQR图识别硅片承载于所述基座上时相对于所述基座的偏移量；

根据所述偏移量对所述传送机构将硅片传送至的位置进行调整使得当硅片承载于所述基座上时相对于所述基座居中。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述传送机构包括伸缩构件和可转动地连接至所述伸缩构件的末端的转动构件，所述硅片被所述传送机构传送时承载在所述转动构件上，所述对所述传送机构将硅片传送至的位置进行调整包括调整所述伸缩构件的伸缩量以及调整所述转动构件的转动量。