[发明专利]栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法

权利要求书

1.一种栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上具有至少一个栅极沟槽，所述栅极沟槽包括第一区域及第二区域，所述第一区域及所述第二区域上均形成有鳍片；

形成功函数叠层，所述功函数叠层覆盖所述栅极沟槽的内壁及所述鳍片的外壁；

形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述功函数叠层；

形成抗反射层，所述抗反射层覆盖所述阻挡层，并填充所述栅极沟槽；

形成图形化的光刻胶层，并以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除所述第二区域的抗反射层，以暴露所述第二区域的阻挡层，去除所述抗反射层时所述抗反射层的去除速率大于所述阻挡层的去除速率；

去除所述第二区域的阻挡层，以暴露所述第二区域的功函数叠层，去除所述阻挡层时所述阻挡层的去除速率大于所述功函数叠层的去除速率；

去除所述第二区域的部分功函数叠层；

去除所述第一区域的抗反射层及所述第一区域的阻挡层，以暴露所述第一区域的功函数叠层；

于所述栅极沟槽内形成栅极导电层，以在所述第一区域形成第一栅极堆叠结构，在所述第二区域形成第二栅极堆叠结构，所述第一栅极堆叠结构与所述第二栅极堆叠结构具有不同的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述抗反射层包括有机底部抗反射层。

3.根据权利要求2所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层包括不定形硅或不定形碳。

4.根据权利要求3所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为30埃～100埃。

5.根据权利要求3所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，去除所述抗反射层为干法蚀刻，采用的工艺气体包括SO₂/N₂或N₂/H₂。

6.根据权利要求3所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述功函数叠层包括自下而上的第二功函数层及第一功函数层，所述第一功函数层的材料包括氮化钛，所述第二功函数层的材料包括氮化钽。

7.根据权利要求6所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，去除所述阻挡层为干法蚀刻，采用的工艺气体包括三氟化氮及氢气，且采用的偏置电压为零。

8.根据权利要求6所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，利用湿法蚀刻去除所述第二区域的第一功函数层，所述湿法蚀刻的蚀刻液包括双氧水。

9.根据权利要求1所述的栅极堆叠结构的形成方法，其特征在于，还包括盖帽层，所述盖帽层位于所述鳍片与所述功函数叠层之间，且所述盖帽层的材质包括氮化钛。

10.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的栅极堆叠结构的形成方法。