[发明专利]一种表面增强拉曼散射基底在审
| 申请号： | 202111640957.9 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114264644A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 田毅;褚卫国;陈佩佩;胡海峰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 增强 散射 基底 | ||
1.一种表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述表面增强拉曼散射基底包括衬底，设置于衬底一侧表面的墙阵列，以及设置于墙阵列表面的等离子体共振纳米结构层；
所述墙阵列包括平面介质格栅，以及覆盖所述平面介质格栅与衬底表面的金属膜层。
2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述平面介质格栅中的格栅形状包括多边形；
优选地，所述多边形包括三角形、四边形、五边形、六边形或八边形中的任意一种或至少两种的组合，优选为四边形、六边形或八边形中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述平面介质格栅的高度为20-800nm，优选为100-500nm；
优选地，所述平面介质格栅的厚度为10-900nm；
优选地，所述平面介质格栅中，格栅的等效圆直径为50-1600nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述平面介质格栅的材质为非吸收介质；
优选地，所述非吸收介质包括二氧化硅、氮化硅、氟化镁、二氧化钛、光刻胶或纳米压印胶中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述金属膜层的材质包括金、铂、银或铜中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述金属膜层包括覆盖平面介质格栅顶面与衬底表面的水平金属膜层，以及覆盖平面介质格栅侧面的纵向金属膜层。
6.根据权利要求5所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述水平金属膜层的厚度为3-200nm，优选为10-150nm；
优选地，所述纵向金属膜层的厚度为1-17nm，优选为4-12nm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述金属膜层的表面覆盖有介质膜层；
所述介质膜层包括覆盖水平金属膜层的水平介质膜层，以及覆盖纵向金属膜层的纵向介质膜层。
8.根据权利要求7所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述介质膜层的材质为二氧化硅和/或三氧化二铝；
优选地，所述水平介质膜层的厚度为0.5-3nm；
优选地，所述纵向介质膜层的厚度为0.5-3nm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述等离子体共振纳米结构层由金属纳米颗粒组成；
优选地，所述金属纳米颗粒的材质包括金、铂、银或铜中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述金属纳米颗粒的粒径为5-100nm，优选为10-60nm。
10.根据权利要求1-9任一项所述的表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述衬底的材质包括硅和/或石英玻璃。
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