[发明专利]硅量子点光伏异质结制备方法

权利要求书

1.硅量子点光伏异质结的制备方法，其特征在于该方法采用射频磁控溅射高纯石墨，直流磁控溅射n型硅共溅射在衬底上，溅射后退火处理形成硅量子点光伏异质结薄膜。

2.如权利要求1所述的硅量子点光伏异质结的制备方法，其特征在于所述的衬底，按体积比，过氧化氢：氨水：去离子水=1:1:3的混合溶液中进行清洗。

3.如权利要求1所述的硅量子点光伏异质结的制备方法，其特征在于所述的退火处理，退火温度分别为600 ℃，退火时间为1 h。