[发明专利]石墨烯均温板及其制备方法、散热装置及电子设备

权利要求书

1.一种石墨烯均温板的制备方法，其特征在于，步骤包括：

将氧化石墨烯浆料涂布干燥后，得到氧化石墨烯膜，其中，所述氧化石墨烯浆料中不含有粘结剂；

将数片所述氧化石墨烯膜叠放，得到氧化石墨烯层；

将数层所述氧化石墨烯层之间以分隔部隔开叠放，得到高度为H的堆积体；

将所述堆积体的上方设置限位部，所述限位部的下表面与所述堆积体的上表面之间的距离介于0.5H至1.5H；

将所述堆积体置于进行热处理和石墨化处理，以使所述氧化石墨烯层转变为石墨烯层；

将所述石墨烯层进行压延处理，得到所述石墨烯均温板。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯膜的厚度介于120μm至480μm；

和/或，所述数片为100片至1000片；

和/或，所述高度H介于1cm至100cm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯浆料的固含量介于3wt.％至10wt.％之间，和/或，粘度在介于10⁵至10⁶Pas。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯浆料中的氧化石墨烯采用Hummer’s法制备得到；

和/或，所述涂布的方法选自气刀涂布、刮刀涂布、辊式涂布或刮棒式涂布中的一种。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度介于900℃至1100℃，时间介于0.5至1h；

和/或，所述石墨化处理包括：将所述堆积体在2700℃至3200℃的温度下保持1h至3h；

和/或，所述压延处理包括：在压强1×10^-3Pa以下，对所述石墨烯层施加介于50MPa至180MPa的压力。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述堆积体放置于石墨箱中；

和/或，所述分隔部为石墨纸；

和/或，所述限位部为石墨板。

7.如权利要求1至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯均温板的厚度介于500μm至4000μm之间。

8.一种石墨烯均温板，采用如权利要求1至7中任一项的制备方法得到，其特征在于，其平面导热系数介于800W/m·K至1400W/m·K之间；

和/或，其内聚力介于0.2N/25mm至0.6N/25mm。

9.一种散热装置，其特征在于，含有如权利要求8所述的石墨烯均温板。

10.一种电子设备，其特征在于，含有如权利要求8所述的石墨烯均温板。