[发明专利]一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法在审
| 申请号： | 202111643127.1 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114464528A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 简振煌;吴志峰 | 申请（专利权）人： | 泉州市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 硅干法 刻蚀 工艺 方法 | ||
1.一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供已完成部分制程的半导体基板，所述半导体基板的表面形成有氮化硅层；
2)对所述氮化硅层进行除渣处理；
3)在所述干法刻蚀机的反应腔内通入刻蚀气体对所述氮化硅层进行干法刻蚀，所述刻蚀气体包括至少一种含碳和氟的气体，经过干法刻蚀后的半导体基板表面存在氟碳链聚合物；
4)通入体积比大于或等于19:1的氮气和氢气的混合气体对半导体基板的表面的氟碳聚合物进行去除。
2.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：在步骤4后还包括：通入氮气对所述反应腔内部进行清洗处理，氮气的流量为20～1000sccm。
3.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述步骤4中所述氮气和氢气的混合气体中氮气和氢气的体积比为19:1，所述氮气和氢气的混合气体的流量为20～1000sccm。
4.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述步骤4中还通入氧气，所述氧气与所述氮气和氢气的混合气体的体积比为1:1～9:1。
5.根据权利要求4所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：步骤4中氧气的流量为20～1000sccm。
6.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述含碳和氟的气体为CF4或CHxF4-x，其中，0＜x＜4。
7.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述步骤3的所述刻蚀气体为CF4和氧气，CF4和氧气的流量为20～1000sccm。
8.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述步骤2中的除渣处理使用氧气作为制程气体，氧气的流量为20～1000sccm。
9.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述步骤2和步骤3中所述干法刻蚀机的射频功率为50～700W。
10.根据权利要求1所述的基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，其特征在于：所述步骤4中所述干法刻蚀机的微波功率为50～2000W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
