[发明专利]一种晶圆洗边蚀刻方法在审
申请号: | 202111643643.4 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114420536A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 廖世保;徐铭;邓信甫 | 申请(专利权)人: | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆洗边 蚀刻 方法 | ||
本发明提供一种晶圆洗边蚀刻方法,包括:步骤S1,获取一晶圆并将晶圆放置于一放置台上;步骤S2,控制放置台进行旋转,并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对晶圆的边缘进行复层洗边蚀刻。有益效果是本方法采用多个喷淋管依次喷淋第一溶液、第二溶液和第三溶液对晶圆的边缘进行洗边蚀刻,以完全清除晶圆边缘的表面物质并有效提升清洗蚀刻效果。
技术领域
本发明涉及晶圆洗边蚀刻技术领域,尤其涉及一种晶圆洗边蚀刻方法。
背景技术
在晶圆进行制备工艺之前需要对晶圆进行清洗,大多采用水或一般的清洗液对晶圆的表面进行快速的清洗,清洗完成后立即进行晶圆的表面蚀刻。
但是这样的清洗方式无法完整地清除晶圆边缘的表面物质,对后续晶圆蚀刻会造成影响,无法对晶圆进行有效保护。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种晶圆洗边蚀刻方法,具体包括以下步骤:
步骤S1,获取一晶圆并将所述晶圆放置于一放置台上;
步骤S2,控制所述放置台进行旋转,并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻。
优选的,所述步骤S2中,通过一洗边蚀刻装置对所述晶圆的边缘进行洗边蚀刻,所述洗边蚀刻装置包括:
一第一喷淋管,用于喷淋一第一溶液至所述晶圆的边缘以清除表面物质;
一第二喷淋管,用于喷淋一第二溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第一溶液;
一第三喷淋管,用于喷淋一第三溶液至所述晶圆的边缘以对所述晶圆的边缘进行蚀刻;
一第四喷淋管,用于喷淋一第四溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第三溶液。
优选的,所述步骤S2包括:
步骤S21,控制所述放置台进行旋转,并控制所述第一喷淋管喷淋所述第一溶液至所述晶圆的表面进行洗边;
步骤S22,于所述第一喷淋管喷淋结束时控制所述第二喷淋管喷淋所述第二溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第一溶液;
步骤S23,于所述第二喷淋管喷淋结束时控制所述第三喷淋管喷淋所述第三溶液至所述晶圆的边缘进行蚀刻;
步骤S24,于所述第三喷淋管喷淋结束时控制所述第四喷淋管喷淋所述第四溶液至所述晶圆的边缘以清除剩余的所述第三溶液。
优选的,所述第一喷淋管、所述第二喷淋管、所述第三喷淋管和所述第四喷淋管上分别设有一第一输送管,则所述步骤S2包括:
控制各所述第一输送管导通以于外部的一供液设备中分别输送所述第一溶液、所述第二溶液、所述第三溶液、所述第四溶液至所述第一喷淋管、所述第二喷淋管、所述第三喷淋管及所述第四喷淋管中。
优选的,所述第一喷淋管、所述第二喷淋管、所述第三喷淋管和所述第四喷淋管上分别设有一第二输送管,则执行所述步骤S24之后还包括:
步骤S35,控制各所述第二输送管导通以分别输送所述第一喷淋管、所述第二喷淋管、所述第三喷淋管、所述第四喷淋管中剩余的所述第一溶液、所述第二溶液、所述第三溶液及所述第四溶液至外部的一回收设备中进行回收。
优选的,所述第一溶液由磷酸和去离子水组成。
优选的,所述第二溶液和所述第四溶液为超纯水。
优选的,所述第三溶液为高温硫酸。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:本方法采用多个喷淋管依次喷淋第一溶液、第二溶液和第三溶液对晶圆的边缘进行洗边蚀刻,以完全清除晶圆边缘的表面物质并有效提升蚀刻效果。
附图说明
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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