[发明专利]一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法

说明书

本发明涉及LED器件生产技术领域，具体涉及一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法，包括：步骤S1：于一基板上形成多个所述LED器件；步骤S2：于所述LED器件的部分表面形成牺牲层，对所述LED器件进行蚀刻，于所述LED器件的侧面形成斜面；步骤S3：对所述LED器件采用第一清洗方法进行清洗，随后对所述LED器件进行干燥处理以完成处理过程。本发明的有益效果在于：通过对LED器件的侧面形成一斜面，减少了LED器件内的全反射光纤，进而提高了LED器件的光提取效率，实现了较现有技术更高的发光效率。

技术领域

本发明涉及LED器件生产技术领域，具体涉及一种LED器件的湿法边际处理方法。

背景技术

LED器件，也称发光二极管，是一种基于电子-空穴复合进而释放出光能的半导体器件。由于LED器件相对于传统发光原理的装置，如白炽灯、荧光灯等具有发光效率更高、寿命更长，因此在各种场合中均得到了广泛的应用，并逐渐取代传统发光装置。

现有技术中，LED器件主要是在硅基、蓝宝石、氮化镓等材质的基板上，通过半导体工艺形成的。但是，在实际实施过程中，发明人发现，现有技术中，基于上述材质制备生产的LED器件，由于其材质的折射率的问题，普遍存在有光提取效率低下的问题。即，现有技术中的LED器件，普遍存在有产生的光线在空气界面处发生反射，进而使得产生的光线无法有效透出器件的问题。这在一定程度上导致了LED器件整体发光效率低下的问题，不利于进一步提高其发光效率、降低功耗。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法。

具体技术方案如下：

一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法，包括：

步骤S1：于一基板上形成多个所述LED器件；

步骤S2：于所述LED器件的部分表面形成牺牲层，对所述LED器件进行蚀刻，于所述LED器件的侧面形成斜面；

步骤S3：对所述LED器件采用第一清洗方法进行清洗，随后对所述LED器件进行干燥处理以完成处理过程。

优选地，所述步骤S2包括：

步骤S21：于所述LED器件的中心一矩形区域内形成所述牺牲层；

步骤S22：对所述LED器件采用湿法蚀刻，以去除所述牺牲层以及所述LED器件于所述矩形区域以外的部分；

步骤S23：对所述LED器件采用第二清洗方法进行清洗，根据一预设的蚀刻面积参数生成新的所述矩形区域，返回所述步骤S21，直至所述斜面形成；

新的所述矩形区域的面积大于原有的所述矩形区域的面积。

优选地，所述基板的材质包括蓝宝石、氮化镓；

所述步骤S2中，所述湿法蚀刻的蚀刻液包括硫酸和磷酸。

优选地，所述步骤S23中，所述第二清洗方法包括：

步骤A1：对所述LED器件采用氨水进行清洗；

步骤A2：采用纯水冲洗所述LED器件；

步骤A3：将环境温度上升至一预定温度。

优选地，所述步骤S3中，所述第一清洗方法包括：

步骤B1：采用纯水冲洗所述LED器件；

步骤B2：采用一酸液清洗所述LED器件；

步骤B3：再次采用所述纯水冲洗所述LED器件。