[发明专利]一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构

权利要求书

1.一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，包括：

提供衬底，并在其表面依次制作MOS器件层次及中间金属布线、反熔丝底层金属和底层金属阻挡层；

进行MTM反熔丝ONO叠层介质的淀积；

进行顶层金属阻挡层的淀积；

对ONO叠层介质和顶层金属阻挡层进行光刻和腐蚀，形成岛状反熔丝结构并对反熔丝底层金属进行光刻和腐蚀，形成反熔丝下电极；

淀积金属层间介质IMD，所述金属层间介质IMD包覆所述ONO叠层介质和所述顶层金属阻挡层；

进行反熔丝通孔的光刻、通孔Via的淀积并进行CMP平坦化；

淀积反熔丝顶层金属，并光刻、腐蚀，形成反熔丝上电极。

2.如权利要求1所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，进行MTM反熔丝ONO叠层介质的淀积包括：

在底层金属阻挡层表面淀积MTM反熔丝ONO叠层介质的第一层SiO2；

在第一层SiO2表面淀积MTM反熔丝ONO叠层介质的第二层SiN；

在第二层SiN表面淀积MTM反熔丝ONO叠层介质的第三层介质SiO2。

3.如权利要求2所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，所述第一层SiO的厚度为1～3nm，所述第二层SiN的厚度为5～9nm，所述第三层介质SiO2的厚度为1～3nm；均采用CVD进行工艺形成。

4.如权利要求1所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，所述衬底为体硅外延材料或者SOI材料衬底，厚度为SEMI标准厚度。

5.如权利要求1所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，所述底层金属阻挡层的材料为TiN或TiW，厚度为10～200nm，采用CVD工艺淀积形成。

6.如权利要求1所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，所述顶层金属阻挡层的材料为TiN，TiW，厚度为50～200nm，采用PVD工艺淀积形成。

7.如权利要求1所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，所述金属层间介质IMD的材料组分为SiO2。

8.如权利要求1所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺，其特征在于，所述反熔丝顶层金属的材料为AlxSiyCuz或Cu，厚度为500～1200nm。

9.一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元结构，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述的基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺制备而成。