[发明专利]一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构在审
| 申请号： | 202111645019.8 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114373746A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 朱敏;朱文昭;杨博翰;吴有余 | 申请（专利权）人： | 无锡沐创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 214026 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多熵源 硬件 随机数 发生器 电路 版图 结构 | ||
1.一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，其特征在于，包括：P型衬底以及所述P型衬底表面的多个独立的N型阱区，每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，所述隔离阱区的底部和四周均被所述N型阱区包围实现隔离；
若干组独立的熵源电路分别制作于各个所述N型阱区内，所述熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件，且隔离型NMOS管器件制作于所述N型阱区内的隔离阱区内，所述熵源电路中的PMOS器件制作于所述N型阱区内除隔离阱区外的区域内。
2.根据权利要求1所述的熵源电路版图结构，其特征在于，每个N型阱区内部包括第一浅阱区域和第二深阱区域，所述第一浅阱区域呈环形结构包围在所述第二深阱区域的外部，且所述第一浅阱区域的阱区深度小于所述第二深阱区域；每个N型阱区内的隔离阱区形成在第二深阱区域处，且所述隔离阱区的阱区深度小于所述第二深阱区域，所述隔离阱区底部的第二深阱区域将所述隔离阱区和所述P型衬底实现隔离。
3.根据权利要求2所述的熵源电路版图结构，其特征在于，所述隔离阱区的周向尺寸小于所述第二深阱区域的周向尺寸，所述隔离阱区的阱区深度等于所述第一浅阱区域的阱区深度。
4.根据权利要求1所述的熵源电路版图结构，其特征在于，不同的N型阱区之间通过P型阱区实现隔离。
5.根据权利要求1所述的熵源电路版图结构，其特征在于，各个N型阱区的尺寸均相等，或者，存在至少两个N型阱区的尺寸不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
