[发明专利]一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法

权利要求书

1.一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法，其特征在于共有六种构建方式可得三值忆阻器构建，具体是：

(1)同参数反向串联：两个参数相同的二值忆阻器反向串联连接；此时两个二值忆阻器的磁通量积累规律完全相反，其到达各自磁通阈值的时间不同，即各自发生阻值转变的时间不同，因此同参数反向串联电路可等效为一个三值忆阻器；

(2)不同参数同向串联：两个参数不同的二值忆阻器同向串联连接；具体又可分为忆导值参数不同或磁通阈值参数不同或两者都不同；此时两个忆阻器会因为参数不同导致分压不同或磁通阈值不同，使得各自发生阻值转变的时间不同，因此不同参数同向串联电路可等效为一个三值忆阻器；

(3)不同参数反向串联：两个参数不同的二值忆阻器反向串联连接；参数不同又可具体分为忆导值参数不同或磁通阈值参数不同或两者都不同；此时两个二值忆阻器因参数不同及反向连接使得各自发生阻值转变的时间不同，因此不同参数反向串联电路可等效为一个三值忆阻器；

(4)同参数反向并联：两个参数相同的二值忆阻器反向并联连接；此时两个二值忆阻器的磁通量积累规律相反，其到达各自磁通阈值的时间不同，即各自发生阻值转变的时间不同，因此同参数反向并联电路可等效为一个三值忆阻器；

(5)不同参数同向并联：两个参数不同的二值忆阻器同向并联连接；在并联时参数不同可分为磁通阈值参数不同或磁通阈值参数及忆导值参数都不同；此时两个二值忆阻器会因参数不同导致磁通阈值不同，使得各自发生阻值转变的时间不同，因此不同参数同向并联电路可等效为一个三值忆阻器；

(6)不同参数反向并联：两个参数不同的二值忆阻器反向并联连接；结合(4)、(5)的分析可知此时两个二值忆阻器发生阻值转变的时间也会不同，因此不同参数反向并联电路可等效为一个三值忆阻器。