[发明专利]一种基于互补型MOS管的双向有源混频器有效
| 申请号： | 202111645852.2 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114499414B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 康凯;刘润宇;余益明;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12;H03D7/14;H04B1/52 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 互补 mos 双向 有源 混频器 | ||
1.一种基于互补型MOS管的双向有源混频器，其特征在于，包括：开关管、变压器transformer1与transformer2、及尾电流源M9；其中，
所述开关管包括：NMOS管M1、M4、M5、M8与PMOS管M2、M3、M6、M7，所述NMOS管M1的漏极、PMOS管M2的源极、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的源极均相连，所述PMOS管M3的源极、NMOS管M4的漏极、PMOS管M7的源极、NMOS管M8的漏极均相连；所述NMOS管M1、PMOS管M3、PMOS管M6与NMOS管M8的栅极接正本振信号LO+，所述PMOS管M2、NMOS管M4、NMOS管M5与PMOS管M7的栅极接负本振信号LO-；所述NMOS管M1的源极、PMOS管M2的漏极、NMOS管M3的源极与PMOS管M4的漏极均相连，所述PMOS管M6的漏极、NMOS管M5的源极、PMOS管M7的漏极、NMOS管M8的源极均相连；
变压器transformer1的初级线圈连接中频信号（IF+、IF-），变压器transformer1的次级线圈连接于NMOS管M1与NMOS管M8的漏极之间、且中心抽头接电压Vdd；变压器transformer2的初级线圈连接射频信号（RF+、RF-），变压器transformer2的次级线圈连接于NMOS管M1与NMOS管M8的源极之间、且中心抽头接尾电流源M9的漏极；尾电流源M9的栅极接偏置电压Vbias1、源极接地；
所述双向有源混频器满足条件：
其中，
2.按权利要求1所述基于互补型MOS管的双向有源混频器，其特征在于，所述NMOS管M1、M4、M5、M8的结构尺寸相同，PMOS管M2、M3、M6、M7的结构尺寸相同。
3.按权利要求1所述基于互补型MOS管的双向有源混频器，其特征在于，所述尾电流源M9采用NMOS管。
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