[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构在平行于所述衬底的横向上的一端形成台阶结构；

形成覆盖于所述台阶结构上的绝缘覆盖层；

在所述台阶结构上形成冗余沟道孔，所述冗余沟道孔在垂直于所述衬底的纵向上延伸，所述冗余沟道孔的顶端部位于所述绝缘覆盖层中，且所述冗余沟道孔不贯穿所述台阶结构；

在所述冗余沟道孔中形成冗余沟道结构；

形成在所述纵向上延伸且贯穿所述冗余沟道结构和所述台阶结构的虚拟沟道结构，所述虚拟沟道结构在所述衬底上的正投影位于所述冗余沟道结构在所述衬底上的正投影内。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述冗余沟道孔中形成冗余沟道结构，具体包括：

在所述冗余沟道孔中填充绝缘材料，以形成冗余沟道结构。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述冗余沟道孔中形成冗余沟道结构，具体包括：

在所述冗余沟道孔的侧壁上形成刻蚀停止层；

形成位于所述刻蚀停止层表面上且填充所述冗余沟道孔中剩余空间的第一绝缘层，以形成包括所述刻蚀停止层和所述第一绝缘层的冗余沟道结构，其中，所述虚拟沟道结构在所述衬底上的正投影边界位于所述刻蚀停止层在所述衬底上的正投影边界内。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述堆叠结构包括在所述纵向上堆叠设置的第一堆栈结构和第二堆栈结构，所述在衬底上形成堆叠结构，具体包括：

在衬底上形成第一堆栈结构，所述第一堆栈结构包括在台阶区和在平行于所述衬底的横向上与所述台阶区连接的核心区；

形成在所述核心区中穿过所述第一堆栈结构的第一沟道孔；

在所述第一沟道孔中形成牺牲材料层；

在所述第一堆栈结构和所述牺牲材料层上形成第二堆栈结构；

去除所述台阶区上的部分所述第二堆栈结构和所述台阶区中的部分所述第一堆栈结构，以形成所述台阶结构。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器的制作方法还包括：

形成在所述核心区上穿过所述第二堆栈结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔相连通，且所述第二沟道孔与所述冗余沟道孔通过同一工艺步骤形成。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器的制作方法还包括：

经由所述第二沟道孔去除所述牺牲材料层；

在所述第一沟道孔和所述第二沟道孔中形成沟道结构，所述沟道结构与所述冗余沟道结构通过同一工艺步骤形成，所述冗余沟道结构包括位于所述冗余沟道孔的侧壁上的存储功能层、位于所述存储功能层表面上的沟道层、以及位于所述沟道层表面上且填充所述冗余沟道孔中剩余空间的第二绝缘层。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述形成在所述纵向上延伸且贯穿所述冗余沟道结构和所述台阶结构的虚拟沟道结构，具体包括：

通过刻蚀所述冗余沟道结构中的所述第二绝缘层以及所述台阶结构，形成在所述纵向上延伸且贯穿所述冗余沟道结构和所述台阶结构的虚拟沟道孔；

在所述虚拟沟道孔中形成虚拟沟道结构。

8.根据权利要求6所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，所述形成在所述纵向上延伸且贯穿所述冗余沟道结构和所述台阶结构的虚拟沟道结构，具体包括：

通过刻蚀所述冗余沟道结构中的所述第二绝缘层和所述沟道层以及所述台阶结构，形成在所述纵向上延伸且贯穿所述冗余沟道结构和所述台阶结构的虚拟沟道孔；

在所述虚拟沟道孔中形成虚拟沟道结构。