[发明专利]一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构

权利要求书

1.一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，包括顶面金属层、中间介质板及底面金属层，其特征在于，所述中间介质板内通过设置多个连接顶面金属层和底面金属层的金属化过孔，将所述顶面金属层与底面金属层之间分隔为第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔和第四谐振腔，所述第一谐振腔与第二及第四谐振腔相邻，所述第三谐振腔与第二及第四谐振腔相邻；

所述第一与第二谐振腔之间，第二与第三谐振腔之间，以及第三与第四谐振腔之间均设有耦合窗，四个谐振腔之间通过三个耦合窗依次进行电感耦合；所述顶面金属层上刻蚀有连通所述第一与第四谐振腔的交叉耦合环形槽，交叉耦合环形槽将顶面金属层分隔为外部金属面和内部金属面，刻蚀部分将中间介质板暴露，以在顶面金属层与底面金属层之间形成电容耦合。

2.根据权利要求1所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述交叉耦合环形槽关于所述顶面金属层的竖直中心线对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述交叉耦合环形槽对称设置于所述第一和第四谐振腔之间。

4.根据权利要求1所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述顶面金属层处于所述交叉耦合环形槽所围区域内的部分连接有金属化过孔。

5.根据权利要求1所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述交叉耦合环形槽设于远离第二及第三谐振腔的一侧。

6.根据权利要求1所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述顶面金属层上相对的两边侧分别设有输入微带线和输出微带线，所述输入微带线和输出微带线分别伸至所述第一和第四谐振腔处。

7.根据权利要求1所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述顶面金属层和底面金属层之间的边缘处阵列分布有金属化过孔，同时在两者之间的内部沿横向及竖向的中心线阵列分布有两排金属化过孔，以形成田字形的谐振腔壁，将所述顶面金属层和底面金属层之间均匀分隔为四个谐振腔。

8.根据权利要求7所述的一种适用于5G通信高频段的双零点可调基片集成波导滤波器结构，其特征在于，所述第一与第二谐振腔之间，第二与第三谐振腔之间，以及第三与第四谐振腔之间的谐振腔壁上设有开口，以形成谐振腔之间的耦合窗。