[发明专利]一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀在审
申请号: | 202111648470.5 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114361054A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 刘德强 | 申请(专利权)人: | 深圳市盛元半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K20/10;B23P15/00;C23C16/27;C23C16/56 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 陈方;梁宇珊 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 铝线键 合用 劈刀 生产工艺 生产 得到 | ||
1.一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于,其包括如下操作步骤:
劈刀衬底的制备;
表层预处理:在50-60℃条件下,用碱性混合液清洗劈刀衬底,再在22±3℃条件下,用乙醇清洗劈刀衬底,烘干;对烘干的劈刀衬底进行光纤激光结构粗化,喷雾冷却;在70-90℃条件下将劈刀衬底的刀头浸至熔融状的氢氧化钠中30-60min,冷却,乙醇清洗,烘干;
所述碱性混合液包括如下重量份的原料:10-20份质量分数18-25%的氢氧化钠水溶液和3-7份烷基酚聚氧乙烯醚;
表层强化处理,得到劈刀。
2.根据权利要求1所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述烷基酚聚氧乙烯醚与氢氧化钠水溶液的重量份配比为1:(3-5)。
3.根据权利要求1所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述光纤激光结构粗化是将劈刀衬底进行微米级结构处理,激光扫描速度为800-1000mm/s,扫描间距为2-20μm,变化步长90-100mm/s。
4.根据权利要求1所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述表面强化处理,具体操作如下:在5-10MPa、1020-1200℃条件下,先后或同时通入氩气、氢气和甲烷,对表层预处理后的劈刀衬底刀头部进行气相沉积,积尘厚度达到3-5μm,停止沉积,降温,得到劈刀。
5.根据权利要求4所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述表面强化处理中,碳源气体在850-900℃条件下以40-50sccm流量通入,形核后将碳源气体流量降至20-30sccm。
6.根据权利要求4所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述表面强化处理中,停止沉积后,进行热处理。
7.根据权利要求6所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述热处理温度为400-600℃,热处理时间为2-6h。
8.根据权利要求4所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述表面强化处理中,降温速率为20-40℃/min。
9.根据权利要求1所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺,其特征在于:所述劈刀衬底的制备,即将劈刀原料混合,搅拌球磨,干燥造粒,粒径0.1-1.5μm,注模,静置,得到毛胚,脱脂,干燥,烧结,冷却,得到劈刀衬底。
10.用权利要求1-9任一项所述的免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺生产得到的劈刀,所述劈刀包括如下重量份原料:氧化铝70-80份、碳化铬5-9份、氧化锆4-5份、聚丙烯酰胺2-4份、柠檬酸铵1-3份和二氧化钛3-5份。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市盛元半导体有限公司,未经深圳市盛元半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111648470.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造