[发明专利]一种射线存储发光材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种射线存储发光材料的制备方法，其特征在于，所述射线存储发光材料的通式为Ba_1-x-ySr_yF(Br_1-zI_z):xEu²⁺，(0x≤0.1,0≤y≤0.2,0≤z≤1)，所述制备方法包括以下步骤：

步骤1：根据所述射线存储发光材料的通式中的x、y、z的取值，确定钡化合物、锶化合物、铕化合物、溴化合物、氟化铵及碘化铵原料的摩尔比；

步骤2：根据所述摩尔比，称取钡化合物、锶化合物、铕化合物、溴化合物、氟化铵及碘化铵，取出称取的碘化铵中的第一预设量与称取的其余原料进行研磨混匀，获得第一混合研磨体；

步骤3：对所述第一混合研磨体进行第一次烧结，获得第一烧结体；

步骤4：将所述第一烧结体研磨成粉末后，加入称取的剩余碘化铵进行多次烧结，获得目标烧结体；

步骤5：将所述目标烧结体研磨成粉末，获得所述射线存储发光材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述多次烧结为二次烧结时，步骤4具体包括：将所述第一烧结体研磨成粉末后，加入称取的剩余碘化铵研磨混匀，进行第二次烧结，获得目标烧结体。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述多次烧结为三次烧结时，步骤4具体包括：

步骤4a：将所述第一烧结体研磨成粉末后，加入第二预设量的碘化铵研磨混匀，进行第二次烧结，获得第二烧结体；

步骤4b：将所述第二烧结体研磨成粉末后，加入第三预设量的碘化铵研磨混匀，进行第三次烧结，获得目标烧结体。

4.根据权利要求1至3任一所述的制备方法，其特征在于，所述钡化合物为氟化钡、碳酸钡、溴化钡中的任意一种或至少两种的组合；

所述锶化合物为氟化锶、溴化锶中的任意一种或两种的组合；

所述铕化合物为氧化铕、氟化铕中的任意一种或两种的组合；

所述溴化合物为溴化铵、溴化钡中的任意一种或两种的组合。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一次烧结、所述第二次烧结和所述第三次烧结的烧结温度均为600℃至850℃之间，烧结时间均为1至10个小时之间，烧结气氛均为还原性气氛。

6.一种应用于X射线数字成像影像板中射线存储发光材料的制备方法，其特征在于，包括：

将根据权利要求1至5任一所述的制备方法制备获得的颗粒直径为2μm至10μm之间的射线存储发光材料进行粒度分级，筛选出颗粒直径为3μm至7μm之间的粉末，得到应用于X射线数字成像影像板中射线存储发光材料。

7.一种射线存储发光材料，其特征在于，所述射线存储发光材料是根据权利要求1至6任一所述的制备方法制备获得的，所述射线存储发光材料的通式为Ba_1-x-ySr_yF(Br_1-zI_z):xEu²⁺，(0x≤0.1,0≤y≤0.2,0≤z≤1)。

8.根据权利要求7所述的射线存储发光材料，其特征在于，所述射线存储发光材料的光激励光谱的宽带为500-750nm，以及所述射线存储发光材料的发射光谱的带宽为360-440nm。

9.一种射线存储发光材料的应用，其特征在于，将权利要求6所述的射线存储发光材料应用于X射线数字成像影像板中。