[发明专利]一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法

权利要求书

1.一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有成核层；所述成核层上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P-GaN层；所述源极与势垒层之间设有存储层；所述源极与栅极以及栅极与漏极之间均设有钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，所述势垒层上设有凹槽组；所述凹槽组布置势垒层靠近漏极一端；所述凹槽组布置在栅极与漏极之间区域的下方；所述凹槽组包括多个设置势垒层上的凹槽体；所述钝化层延伸至各个凹槽体内。

3.根据权利要求2所述的一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，多个所述凹槽体呈间隔分布。

4.根据权利要求3所述的一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，相邻凹槽体等距分布。

5.根据权利要求2所述的一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，相邻凹槽体之间具有高度差；靠近栅极一侧凹槽体深度最大，所述凹槽组中的各个凹槽体深度由栅极向漏极一侧逐步减少。

6.根据权利要求2所述的一种抑制电流崩塌的HEMT器件，其特征在于，所述凹槽体竖直截面呈矩形或者半圆形。

7.一种如权利要求1-6任一项所述HEMT器件的生产方法，其特征在于，所述生产方法包括如下步骤：

步骤1：提供基础衬底，在衬底上生长成核层；

步骤2：在成核层上外延缓冲层；

步骤3:在缓冲层上生长沟道层；在沟道层上生长势垒层；在势垒层上生长P型电荷存储层；

步骤4：步骤3完成后，对P型电荷存储层进行刻蚀，刻蚀时，要求在势垒层上布置源极的区域形成存储层；在势垒层上布置栅极区域形成帽层；

步骤5:步骤4完成后，在势垒层上制备源极以及漏极；要求源极和漏极与势垒层形成欧姆接触；

步骤6：步骤5完成后，在势垒层上刻蚀凹槽组；要求上述凹槽组布置势垒层靠近漏极一端；所述凹槽组布置在栅极与漏极之间区域的下方；

步骤7：步骤6完成后，在势垒层上生长一层钝化层；

步骤8：在帽层上制备栅极；

步骤9：在步骤8完成后，一个HEMT器件生产完成，如果需要重复生产HEMT器件，重复步骤1-8即可。

8.根据权利要求7所述的一种HEMT器件的生产方法，其特征在于，在所述步骤6中，要求凹槽组中靠近栅极一端的凹槽体深度最大，靠近漏极一端的凹槽体深度最小。

9.根据权利要求8所述的一种HEMT器件的生产方法，其特征在于，所述凹槽体刻蚀成弧形槽或者矩形槽。

10.根据权利要求8所述的一种HEMT器件的生产方法，其特征在于，所述凹槽组中靠近栅极一侧的凹槽体的侧边与帽层侧面相齐平。