[发明专利]光学系统用碳化硅陶瓷材料、反光镜、制备方法及烧结助剂有效
申请号: | 202111649637.X | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114249595B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 史彦民;徐正平;龙成勇 | 申请(专利权)人: | 扬州北方三山工业陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;G02B5/08;C04B35/64;C04B35/622 |
代理公司: | 扬州润中专利代理事务所(普通合伙) 32315 | 代理人: | 张琳 |
地址: | 225200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学系统 碳化硅 陶瓷材料 反光镜 制备 方法 烧结 助剂 | ||
1.一种光学系统用碳化硅陶瓷材料,其特征在于,按重量份计,所述碳化硅陶瓷材料包括α-碳化硅微粉65~75份,β-碳化硅微粉25~35份,硼改性水溶性酚醛树脂10~15份,钛酸酯偶联剂0.05~0.15份、分散剂0.1~1份、粘结剂2~7份、润滑剂1~3份及保水剂0.5~1.5份;碳化硅微粉经碱洗二次提纯;所述硼改性水溶性酚醛树脂为摩尔比为2.5~3.5:0.8~1.2:3.5~4.5的苯酚、硼酸以及甲醛在有机溶剂中,在80~120℃温度下经过碱性催化剂催化反应得到;所述碳化硅微粉经碱洗二次提纯的步骤为:将微粉制成含固量为40~60%的浆料,温度为150~180℃,压力为0.3~1.0MPa,与占微粉质量比为0.5~1%的除氧剂混合后进行搅拌反应12-24h;所述除氧剂为质量比为0.5~1:0.5~1的氢氧化钠和氢氧化钾。
2.根据权利要求1所述的光学系统用碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述α-碳化硅微粉和β-碳化硅微粉经过酸洗和碱洗。
3.根据权利要求1所述的光学系统用碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述硼改性水溶性酚醛树脂通过以下方法制备:将苯酚加入甲苯中,然后再加入硼酸和碱性催化剂,充分混合,将反应温度控制在80~100℃,反应时间2-3h,反应结束后,冷却至室温后加入甲醛,充分混合,将反应釜温度控制在100~120℃,反应结束,去除反应溶剂和催化剂,得到棕红色硼改性酚醛树脂。
4.根据权利要求1所述的光学系统用碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述α-碳化硅微粉D50为0.7μm;所述β-碳化硅微粉D50为0.3μm。
5.根据权利要求1所述的光学系统用碳化硅陶瓷材料,其特征在于,所述碳化硅陶瓷材料通过以下方法制备:各组分按照配比进行配料制浆,用喷雾干燥进行浆料造粒,得到陶瓷造粒粉;采用造粒粉风选装置对造粒粉进行筛选;采用干压成型对陶瓷进行预成型,然后再用等静压对陶瓷生坯进行二次处理,与生坯接触的等静压介质温度为70~80℃;然后对碳化硅生坯进行雕刻加工,将生坯加工成所需的形状。
6.一种碳化硅陶瓷材料制备的反射镜,其特征在于,反射镜通过以下方法制备:将如权利要求1所述的碳化硅陶瓷材料制成生坯,制备的生坯经过烧结、表面光学加工,得到反射镜。
7.根据权利要求6所述的碳化硅陶瓷材料制备的反射镜,其特征在于,所述烧结工艺为:(1)从室温升温至1100~1200℃,真空环境烧结,升温速率3~5℃/min,1100~1200℃保温20~30min,1100~1200℃保温结束开始充氢气;
(2)1100~1200℃℃升温至1600~1700℃,氢气气氛烧结,升温速率3~5℃/min,在1600~1700℃保温20~30min,1600~1700℃保温结束,氢气阀关闭,真空泵启动,开始二次抽真空;
(3)1600~1700℃升温至2100~2200℃,真空环境烧结,升温速率3~5℃/min,在2150℃保温20~30min;
(4)在2150℃保温20~30min结束后,压气机启动进行充氩气,充氩结束后再保温90~100min;
(5)保温结束,泄压至常压,然后停炉,随炉冷却,得到碳化硅反射镜毛坯。
8.一种碳化硅陶瓷反射镜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将α-碳化硅微粉65~75份,β-碳化硅微粉25~35份,硼改性水溶性酚醛树脂10~15份,钛酸酯偶联剂0.05~0.15份、分散剂0.1~1份、粘结剂2~7份、润滑剂1~3份及保水剂0.5~1.5份进行配料制浆,用喷雾干燥进行浆料造粒,得到陶瓷造粒粉;采用造粒粉风选装置对造粒粉进行筛选;采用干压成型对陶瓷进行预成型,然后再用等静压对陶瓷生坯进行二次处理,与生坯接触的等静压介质温度为70~80℃;然后对碳化硅生坯进行雕刻加工,将生坯加工成所需的形状;
(2)采用变气氛烧结工艺对碳化硅陶瓷进行烧结,烧结后得到碳化硅反射镜毛坯;
所述变气氛烧结工艺为:
(2-1)从室温升温至1100~1200℃,真空环境烧结,升温速率3~5℃/min,1100~1200℃保温20~30min,1100~1200℃保温结束开始充氢气;
(2-2)1100~1200℃℃升温至1600~1700℃,氢气气氛烧结,升温速率3~5℃/min,在1600~1700℃保温20~30min,1600~1700℃保温结束,氢气阀关闭,真空泵启动,开始二次抽真空;
(2-3)1600~1700℃升温至2100~2200℃,真空环境烧结,升温速率3~5℃/min,在2150℃保温20~30min;
(2-4)在2150℃保温20~30min结束后,压气机启动进行充氩气,充氩结束后再保温90~100min;
(2-5)保温结束,泄压至常压,然后停炉,随炉冷却,得到碳化硅反射镜毛坯;
(3)将得到的碳化硅反射镜毛坯进行表面光学加工,得到碳化硅反射镜。
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