[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111649991.2 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116417403A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡世鸿;林建廷;林毓翔;傅思逸;许智凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
提供第一基底包含高压区以及中压区；
提供第二基底包含低压区以及静态随机存取存储器区；以及
接合该第一基底以及该第二基底。
2.如权利要求1所述的方法，其中该高压区包含高压元件。
3.如权利要求1所述的方法，其中该中压区包含中压元件。
4.如权利要求1所述的方法，其中该低压区包含鳍状结构场效晶体管。
5.如权利要求1所述的方法，其中接合该第一基底以及该第二基底包含混合键合制作工艺。
6.如权利要求1所述的方法，其中该第一基底以及该第二基底之间包含硅贯通中介层(through-silicon interposer,TSI)。
7.如权利要求1所述的方法，其中该第一基底以及该第二基底之间包含重布线层。
8.如权利要求1所述的方法，其中该第一基底包含硅晶片。
9.如权利要求1所述的方法，其中该第二基底包含硅晶片。
10.一种半导体元件，其特征在于，包含：
第一基底，包含高压区以及中压区；以及
第二基底，相对于该第一基底设置，该第二基底包含低压区以及静态随机存取存储器区。
11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该高压区包含高压元件。
12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该中压区包含中压元件。
13.如权利要求10所述的半导体元件，其中该低压区包含鳍状结构场效晶体管。
14.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一基底以及该第二基底之间包含硅贯通中介层(through-silicon interposer,TSI)。
15.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一基底以及该第二基底之间包含重布线层。
16.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一基底包含硅晶片。
17.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二基底包含硅晶片。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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