[发明专利]一种晶圆晶向的定位装置及方法在审
申请号: | 202111653431.4 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114334781A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 顾雪平;戴文海;曹国文 | 申请(专利权)人: | 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人: | 龚心怡 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆晶 定位 装置 方法 | ||
1.一种晶圆晶向的定位装置,其特征在于,包括:
承托环,所述承托环被构造出至少一圈径向向内延伸以承托晶圆的承托环面,与所述承托环面呈同轴设置的旋转吸附装置,以及校准装置;
所述承托环面设置环形布置的若干第一传感器,以采集基于晶圆压持所述第一传感器所确定的检测数据;
所述校准装置包括一横向移动并设置校准边的调节块;
所述承托环面与晶圆分离后,由所述旋转吸附装置吸附晶圆并执行粗调旋转,以将晶圆所具有的平边转动至面向所述校准边的状态,横向移动所述调节块,以在校准边与晶圆的平边吻合过程中对晶圆执行精调旋转。
2.根据权利要求1所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述承托环还包括自承托环面的外侧边缘处向上外扩且自上而下渐缩的环状侧壁,环状侧壁的底部与晶圆的边缘吻合,所述环状侧壁的内表面光滑。
3.根据权利要求2所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述承托环被构造出至少两圈径向向内延伸以承托晶圆的承托环面,相邻承托环面沿竖直方向自下而上呈渐扩状。
4.根据权利要求1所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
根据平边的长度在所述校准边上水平设置若干第二传感器,以采集基于平边压持所述第二传感器所确定的检测数据。
5.根据权利要求1所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述校准装置还包括第二驱动装置,以及用于连接所述第二驱动装置和所述调节块的伸缩机构,所述伸缩机构受控于第二驱动装置,以横向驱动形成于伸缩机构末端的调节块作横向移动,以在校准边与晶圆的平边吻合过程中对晶圆执行精调旋转。
6.根据权利要求1所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述旋转吸附装置包括旋转单元和吸附单元,所述吸附单元安装于所述旋转单元上,由所述吸附单元将晶圆吸附在所述旋转单元上,并通过所述旋转单元带动晶圆旋转。
7.根据权利要求6所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述旋转单元包括与所述承托环面呈同轴设置且用于承托晶圆的托持平台,第三驱动装置,以及用于连接第三驱动装置和托持平台的转动轴,所述第三驱动装置通过驱动所述转动轴以带动所述托持平台旋转,进而带动放置于所述托持平台上的晶圆旋转。
8.根据权利要求7所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述承托环连接第一驱动装置,通过所述第一驱动装置驱动所述承托环,使得所述承托环与所述托持平台作上下相对远离运动,以将晶圆与所述承托环面分离。
9.根据权利要求7所述的晶圆晶向的定位装置,其特征在于,
所述吸附单元包括设置于托持平台中心的吸附孔,设置于所述转动轴内且与所述吸附孔相通的气道,以及与所述气道连接的负压发生器,通过所述负压发生器在所述气道中形成真空环境,以吸附置于所述托持平台上的晶圆。
10.一种晶圆晶向的定位方法,采用如权利要求1-9任一项所述的定位装置实现,其特征在于,包括以下步骤:
S1、根据表征晶圆晶向的平边的长度以及校准边的位置,选取环形布置于承托环面上的若干个第一传感器中的两个第一传感器作为两个基点,以记录为目标数据,并将所述基点间的连线作为基准边,所述基准边与所述校准边平行且靠近所述校准边;
S2、将晶圆放置于所述承托环面上,采集基于晶圆压持所述第一传感器所确定的检测数据;
S3、分离所述承托环面与晶圆,根据检测数据和目标数据计算出平边的旋转角度,控制旋转吸附装置吸附晶圆并执行粗调旋转,以将所述平边转动至面向所述校准边的状态;
S4、横向移动所述调节块,以在校准边与晶圆的平边吻合过程中对晶圆执行精调旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造