[发明专利]基座及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种基座，用于在MOCVD工艺设备的工艺腔室中承载晶圆，其特征在于，包括承载部件、支撑轴、加热部件和温度补偿组件，其中：

所述承载部件用于承载所述晶圆，所述支撑轴与所述承载部件的底部连接，用于支撑所述承载部件；

所述加热部件设置于所述承载部件的下方，用于加热所述承载部件；

所述温度补偿组件包括加热腔和进气管路，所述加热腔设置于所述承载部件与所述支撑轴连接处对应的位置，所述进气管路的一端与加热气体源连接，另一端与所述加热腔连通，用于向所述加热腔中通入所述加热气体。

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述进气管路贯穿于所述加热部件，所述加热部件将进入所述进气管路中的所述加热气体进行加热，以形成通入所述加热腔的所述加热气体。

3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于，所述支撑轴设置有进气通道，所述进气通道的一端与所述进气管路连接，所述进气通道的另一端与所述加热腔连通，所述加热气体通过所述进气通道进入所述加热腔内。

4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述加热腔的底壁设置有进气孔和排气孔，所述进气孔分别与所述加热腔和所述进气通道连通，用于使通入所述进气通道的加热气体进入所述加热腔；所述排气孔与所述加热腔连通，用于将所述加热腔内的加热气体排出。

5.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，所述进气管路与所述进气通道的连接处设置有连通件，所述连通件呈环状，且设置有用于穿设所述进气管路的连接孔，所述连通件通过所述进气管路支撑，且套设于所述支撑轴的外周，所述连通件与所述支撑轴之间具有间隙；所述连通件内侧沿其周向设置有环形凹槽，所述环形凹槽的一端与所述进气管路连通，另一端与所述进气通道连通。

6.根据权利要求5所述的基座，其特征在于，所述进气管路为多个，所述连通件上对应设置有多个连接孔与所述进气管路连接，多个所述连接孔沿所述支撑轴的周向间隔分布；所述支撑轴上对应设置有多个进气通道与所述进气管路连通，多个所述进气通道沿所述支撑轴的周向间隔分布。

7.根据权利要求4所述的基座，其特征在于，所述承载部件与所述支撑轴通过连接部件连接，且所述连接部件为所述加热腔的底壁，所述连接部件上开设有所述进气孔和所述排气孔；所述连接部件朝向所述支撑轴的一侧设置有凸起，所述凸起用于安装所述支撑轴。

8.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，在所述进气管路上设置有流量调节件，用于对流经所述进气管路的所述加热气体的流量进行调节。

9.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述基座还包括冷却组件，所述冷却组件套设于所述支撑轴的外周，且设置在所述腔室外，所述冷却组件设置有冷却通道，所述冷却通道内循环通入冷却流体，以对所述支撑轴进行冷却。

10.一种半导体工艺设备，用于进行MOCVD工艺，其特征在于，包括腔室和如权利要求1-9任意一项所述的基座，所述基座的部分设置在所述腔室内。