[发明专利]发光元件和发光元件的制造方法在审
申请号: | 202111654891.9 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114725305A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 郑然九;崔兮琼 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 刘慧红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种制造发光元件的方法,所述方法包括:
形成第一电极;
通过在所述第一电极上提供空穴传输材料来形成空穴传输区域;
在所述空穴传输区域上形成发光层;
在所述发光层上形成电子传输区域;和
在所述电子传输区域上形成第二电极,
其中,形成所述发光层包括:
在所述空穴传输区域上提供包括有机溶剂和多个量子点的量子点组合物;
热处理所述量子点组合物,以提供经热处理的量子点组合物;和
真空干燥所述经热处理的量子点组合物。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,热处理所述量子点组合物包括:
将所述空穴传输材料溶解在所述有机溶剂中;和
将所述多个量子点中的至少一些扩散到所述空穴传输区域中。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述真空干燥所述经热处理的量子点组合物包括去除所述有机溶剂。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,热处理所述量子点组合物在50℃至200℃下执行。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,热处理所述量子点组合物包括:
形成第一部分,所述第一部分包括在所述空穴传输区域中的所述多个量子点中的至少一些;和
形成第二部分,所述第二部分不包括所述量子点并且比所述第一部分更相邻于所述第一电极。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,
所述空穴传输区域包括空穴注入层和在所述空穴注入层上的空穴传输层,并且
热处理所述量子点组合物包括形成第三部分和第四部分,所述第三部分包括在所述空穴传输层中的所述多个量子点中的至少一些,所述第四部分不包括在所述空穴传输层中的所述量子点。
7.根据权利要求1所述的方法,
其中,相对于所述量子点组合物的总重量,所述多个量子点的量为2wt%至15wt%。
8.一种发光元件,包括:
第一电极;
在所述第一电极上并且包括量子点的发光层;
在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区域,并且所述空穴传输区域包括与所述发光层中所包括的所述量子点相同的量子点;
在所述发光层上的电子传输区域;和
在所述电子传输区域上的第二电极。
9.根据权利要求8所述的发光元件,其中,所述空穴传输区域包括:包括所述量子点的第一部分和不包括所述量子点的第二部分。
10.根据权利要求8所述的发光元件,其中,
所述空穴传输区域包括多个有机层,并且
所述多个有机层之中最相邻于所述发光层的有机层包括所述量子点。
11.根据权利要求8所述的发光元件,其中,
所述空穴传输区域包括空穴注入层和在所述空穴注入层上的空穴传输层,并且
所述空穴传输层包括所述量子点,并且所述空穴注入层不包括所述量子点。
12.根据权利要求11所述的发光元件,其中,
所述空穴传输层包括:包括所述量子点的第三部分和不包括所述量子点的第四部分,并且
所述第三部分比所述第四部分更相邻于所述发光层。
13.根据权利要求12所述的发光元件,其中,所述第三部分的厚度小于所述第四部分的厚度。
14.根据权利要求12所述的发光元件,其中,
在所述第三部分中,在与所述发光层相邻的部分中所述量子点的分布密度大于在与所述第四部分相邻的部分中所述量子点的分布密度。
15.根据权利要求12所述的发光元件,其中,所述量子点的分布密度从所述第三部分至所述第四部分减小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111654891.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:冷却装置及其制造方法
- 下一篇:一种轨道式连续管作业机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择