[发明专利]发光元件和发光元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 202111654891.9 申请日: 2021-12-30
公开(公告)号: CN114725305A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 郑然九;崔兮琼 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 代理人: 刘慧红
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造发光元件的方法,所述方法包括:

形成第一电极;

通过在所述第一电极上提供空穴传输材料来形成空穴传输区域;

在所述空穴传输区域上形成发光层;

在所述发光层上形成电子传输区域;和

在所述电子传输区域上形成第二电极,

其中,形成所述发光层包括:

在所述空穴传输区域上提供包括有机溶剂和多个量子点的量子点组合物;

热处理所述量子点组合物,以提供经热处理的量子点组合物;和

真空干燥所述经热处理的量子点组合物。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中,热处理所述量子点组合物包括:

将所述空穴传输材料溶解在所述有机溶剂中;和

将所述多个量子点中的至少一些扩散到所述空穴传输区域中。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述真空干燥所述经热处理的量子点组合物包括去除所述有机溶剂。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,热处理所述量子点组合物在50℃至200℃下执行。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,热处理所述量子点组合物包括:

形成第一部分,所述第一部分包括在所述空穴传输区域中的所述多个量子点中的至少一些;和

形成第二部分,所述第二部分不包括所述量子点并且比所述第一部分更相邻于所述第一电极。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,

所述空穴传输区域包括空穴注入层和在所述空穴注入层上的空穴传输层,并且

热处理所述量子点组合物包括形成第三部分和第四部分,所述第三部分包括在所述空穴传输层中的所述多个量子点中的至少一些,所述第四部分不包括在所述空穴传输层中的所述量子点。

7.根据权利要求1所述的方法,

其中,相对于所述量子点组合物的总重量,所述多个量子点的量为2wt%至15wt%。

8.一种发光元件,包括:

第一电极;

在所述第一电极上并且包括量子点的发光层;

在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输区域,并且所述空穴传输区域包括与所述发光层中所包括的所述量子点相同的量子点;

在所述发光层上的电子传输区域;和

在所述电子传输区域上的第二电极。

9.根据权利要求8所述的发光元件,其中,所述空穴传输区域包括:包括所述量子点的第一部分和不包括所述量子点的第二部分。

10.根据权利要求8所述的发光元件,其中,

所述空穴传输区域包括多个有机层,并且

所述多个有机层之中最相邻于所述发光层的有机层包括所述量子点。

11.根据权利要求8所述的发光元件,其中,

所述空穴传输区域包括空穴注入层和在所述空穴注入层上的空穴传输层,并且

所述空穴传输层包括所述量子点,并且所述空穴注入层不包括所述量子点。

12.根据权利要求11所述的发光元件,其中,

所述空穴传输层包括:包括所述量子点的第三部分和不包括所述量子点的第四部分,并且

所述第三部分比所述第四部分更相邻于所述发光层。

13.根据权利要求12所述的发光元件,其中,所述第三部分的厚度小于所述第四部分的厚度。

14.根据权利要求12所述的发光元件,其中,

在所述第三部分中,在与所述发光层相邻的部分中所述量子点的分布密度大于在与所述第四部分相邻的部分中所述量子点的分布密度。

15.根据权利要求12所述的发光元件,其中,所述量子点的分布密度从所述第三部分至所述第四部分减小。

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