[发明专利]一种IGBT栅极自适应驱动系统在审
| 申请号： | 202111655737.3 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114448405A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张强 | 申请（专利权）人： | 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 燕宏伟 |
| 地址： | 314100 浙江省嘉兴市嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 栅极 自适应 驱动 系统 | ||
1.一种IGBT栅极自适应驱动系统，所述IGBT具有多个参考导通电压值，其特征在于：所述IGBT栅极自适应驱动系统包括一个PWM信号发生装置，多个与所述PWM信号发生装置电性连接的模拟电压转换单元，多个与所述IGBT的栅极连接的IGBT栅极检测单元和一个IGBT集电极检测单元，多个与所述模拟电压转换单元及IGBT栅极检测单元电性及IGBT集电极检测单元电性连接的比较单元，以及一个与所述比较单元电性连接的逻辑处理单元，所述PWM信号发生装置用于根据多个所述参考导通电压值输出不同占空比的PWM控制信号，所述模拟电压转换单元用于将相应的所述PWM控制信号转换为模拟电压值，所述IGBT栅极检测单元用于检测所述IGBT栅极处于不同开通过程或关断过程中的导通电压值，所述IGBT集电极检测单元用于检测所述IGBT栅极处于关断过程中的导通电压值，所述比较单元用于分别比较所述模拟电压值与相应的导通电压值，所述逻辑处理单元根据所述比较单元所输出的比较值输出二进制的多个开关数字信号串以控制所述IGTB的开通过程与导通过程。
2.如权利要求1所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述模拟电压转换单元的数量与所述IGBT栅极检测单元所述IGBT栅极检测单元的总数量相当，每一个所述模拟电压转换单元与一个所述IGBT集电极检测单元或一个所述IGBT栅极检测单元相对应。
3.如权利要求1所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述模拟电压转换单元的数量及所述IGBT栅极检测单元和所述IGBT集电极检测单元的数量与所设置的所述参考导通电压值的数量相等。
4.如权利要求1所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述比较单元的数量与所述IGBT栅极检测单元和所述IGBT集电极检测单元的总数量相等，并对应设置。
5.如权利要求1所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述IGBT栅极自适应驱动系统还包括一个所述逻辑处理单元电性连接的开通电阻组，所述开通电阻组包括n个第一开关以及n个分别与n个该第一开关串联的开通电阻。
6.如权利要求5所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述逻辑处理单元将二进制的多个所述开关数字信号组成一个开关控制信号串以控制所述开通电阻组中的开通电阻的开关。
7.如权利要求1所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述IGBT栅极自适应驱动系统还包括一个所述逻辑处理单元电性连接的关断电阻组，所述关断电阻组包括n个第二开关以及n个分别与n个该第二开关串联的关断电阻。
8.如权利要求7所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述逻辑处理单元将二进制的多个所述关断数据信号组成一个开关控制信号串以控制所述关断电阻组中的关断电阻的开关。
9.如权利要求5或7所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：所述开通电阻组与所述关断电阻组分别与所述IGBT的栅极电性连接。
10.如权利要求1所述的IGBT栅极自适应驱动系统，其特征在于：在所述IGBT栅极自适应驱动系统中，由用户向所述PWM信号发生装置发出开关信号。
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