[发明专利]一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111656160.8 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114300593A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 陈逸豪;张煜;王津 | 申请（专利权）人： | 苏州诺斯鲁精密科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州汇诚汇智专利代理事务所(普通合伙) 32623 | 代理人： | 莫英妍 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 缓冲 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构，其特征在于：所述外延结构包括依次设置的衬底、复合缓冲层和半导体层，
所述复合缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层为图案型，且所述第一缓冲层为氮化镓层，所述第二缓冲层设置在第一缓冲层上，且所述第二缓冲层为三氧化二铝层，且所述三氧化二铝层的下侧填充在第一缓冲层的图案内，所述第一缓冲层的上侧为平整的。
2.根据权利要求1所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构，其特征在于：所述复合缓冲层设置多组，设置在200组以内，且复合缓冲层的总厚度在200nm以内。
3.根据权利要求1所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构，其特征在于：所述第一缓冲层和第二缓冲层通过真空溅渡成型。
4.根据权利要求1所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构，其特征在于：所述半导体层为硅、锗、镓或宽禁带Ⅲ族氮化物半导体材料中的至少一种。
5.一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括：
第一，提供一个清洁的衬底；
第二，在衬底上设置图形化掩膜；
第三，利用真空溅镀在第二步的衬底上设置第一缓冲层；
第四，去除图形化掩膜；
第五，在上一步的基础上设置第二缓冲层；
第六，重复第二至第五步，设置多组复合缓冲层；
第七，在多组复合缓冲层上设置半导体层。
6.根据权利要求5所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于：图形化掩膜通过印刷将高分子材料设置在衬底上。
7.根据权利要求5所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于：在第二步骤中通过热烘烤加固图形化掩膜。
8.根据权利要求6所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于：高分子材料为保护胶。
9.根据权利要求5所述的一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构的制备方法，其特征在于：所述真空溅渡采用在50度，1nm每分钟的低镀率下。
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