[发明专利]处理衬底的方法

权利要求书

1.一种形成结构的方法，按以下顺序包括：

-向反应室提供衬底，该衬底包括半导体和表面层，该表面层包括无定形碳；

-在表面层上形成阻挡层；以及

-在衬底上沉积含金属层，其中含金属层包括氧和金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在表面层上形成阻挡层包括将表面层暴露于含氮等离子体，从而形成等离子体改性的表面层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在表面层上形成阻挡层包括在等离子体改性的表面层上沉积中间层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在表面层上形成阻挡层包括在表面层上沉积中间层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在表面层上形成阻挡层还包括将所述中间层暴露于含氮等离子体，从而形成等离子体改性的中间层。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的方法，其中，沉积中间层包括包含多个后续循环的循环过程，循环包括中间层前体脉冲和中间层反应物脉冲，所述中间层前体脉冲包括向反应室提供中间层前体，所述中间层反应物脉冲包括向反应室提供中间层反应物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述中间层前体选自由硅前体、钛前体和钽前体构成的列表。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述中间层反应物是氧反应物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述氧反应物包括选自O₂,O₃,H₂O,H₂O₂,N₂O,NO,CO₂,CO和NO₂的气态物质。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，向反应室提供中间层前体的步骤和向反应室提供中间层反应物的步骤都不包括在反应室中产生等离子体。

11.根据权利要求4至10中任一项所述的方法，其中，所述中间层具有3nm或更小的厚度。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，还包括在所述含金属层上沉积光致抗蚀剂层的步骤。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂层包括EUV光致抗蚀剂。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，在衬底上沉积含金属层的步骤包括包含多个后续循环的循环沉积过程，循环包括含金属层前体脉冲和含金属层反应物脉冲。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述含金属层前体脉冲和含金属层反应物脉冲中的至少一个之前是吹扫。

16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述含金属层前体脉冲包括向反应室提供含金属前体，所述含金属前体具有通式M[R(C_xH_y)_n]₄，其中M选自Ti,Ta,Hf,Zn和Zr，其中R选自OCH和N，其中x是1-2，其中y是3-6，并且其中n是2-3。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中，所述含金属层反应物脉冲包括向反应室提供含金属层反应物，所述含金属层反应物选自H₂O,O₃和H₂O₂。