[发明专利]钝化接触电池的制备方法

权利要求书

1.一种钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取电池基片，所述电池基片包括半导体衬底和层叠设置于所述半导体衬底的背面的隧穿氧化层；

采用等离子体增强化学气相沉积法，通入包括硅源气体的第一沉积气体，在沉积腔体内于所述隧穿氧化层上沉积硅钝化层；

采用等离子体增强化学气相沉积法，通入包括硅源气体和反应气体的第二沉积气体，在同一所述沉积腔体内于所述硅钝化层上继续沉积硅化物遮蔽层；

在所述硅化物遮蔽层的遮蔽下，去除所述半导体衬底的正面或侧面的绕镀材料。

2.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述硅化物遮蔽层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求2所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，在沉积硅化物遮蔽层的步骤之后，还包括对所述硅钝化层退火以使所述硅钝化层晶体化的步骤；所述硅化物遮蔽层的材料选自氧化硅。

4.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述第一沉积气体还包括含有掺杂元素的掺杂气体，所述掺杂气体用于使所述硅钝化层中具有掺杂元素。

5.根据权利要求1～4任一项所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，获取所述电池基片的步骤包括在所述半导体衬底背面形成所述隧穿氧化层，形成所述隧穿氧化层的沉积腔体与所述沉积所述硅钝化层的沉积腔体相同。

6.根据权利要求5所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底的基材为硅，形成所述隧穿氧化层的步骤为将位于所述半导体衬底背面上的部分硅材料氧化为所述隧穿氧化层。

7.根据权利要求6所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，将部分所述硅材料氧化为所述隧穿氧化层的步骤包括：通入氧源气体，通过等离子增强化学气相沉积法将位于所述半导体衬底背面上的部分硅材料氧化。

8.根据权利要求7所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述硅化物遮蔽层的材料包括氧化硅或氮氧化硅，所述第二沉积气体中的所述反应气体包括所述氧源气体。

9.根据权利要求1～4及6～8任一项所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述硅化物遮蔽层的过程中，控制所述硅化物遮蔽层的厚度为10nm～60nm。

10.根据权利要求1～4及6～8任一项所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，去除所述绕镀材料的步骤包括：先去除位于所述半导体衬底的正面的硅化物遮蔽层的绕镀材料，再在所述硅化物遮蔽层的遮蔽下，去除位于所述半导体衬底的正面的硅钝化层的绕镀材料。