[发明专利]一种电平位移电路及电子设备在审
申请号: | 202111658738.3 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114401000A | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 曹先国;陈艳艳 | 申请(专利权)人: | 曹先国 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K19/003 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王凯 |
地址: | 610097 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 位移 电路 电子设备 | ||
本申请涉及一种电平位移电路及电子设备,属于电子电路技术领域。该电平位移电路包括:恒流源、限压模块,限压模块与恒流源串接,形成电压抬升电路;电压抬升电路的第一连接端用于连接电源,电压抬升电路的第二连接端接地,限压模块与恒流源相连接的位置为第三连接端;限压模块,用于限制第三连接端输出的电压大小;第一连接端用于输出高位电压VDDH,第三连接端用于输出中位电压VB,第一连接端和第三连接端用于为负载供电,使得负载的耐压差为VDDH‑VB。本申请实施例提供的电平位移电路能极大的降低对负载耐压性能的要求,使得负载的耐压差为VDDH‑VB,而不再是传统的VDDH,使得电平位移电路的应用场景更灵活。
技术领域
本申请属于电子电路技术领域,具体涉及一种电平位移电路及电子设备。
背景技术
半导体芯片内部不同电源电压的电路模块之间信号的变换,会涉及到电平位移电路的使用。目前比较常用的一种集成的高压电平位移电路如图1所示。其中,L1、L2、L3是由逻辑电路部分产生的低压时序控制信号,输入范围是GND~VDD,L1和L2的逻辑相反;N1管、N2管、N3管为高压NMOS器件,P1管、P2管、P3管为高压PMOS器件,由P1管、P2管和N1管、N2管构成的电平位移单元,将L1、L2的低压逻辑信号转变为可以控制P3管的高压电平(输出范围是GND~HV),与L3一起控制由P3和N3组成的反向输出级,从而实现从低压逻辑信号到高压驱动输出的转换。。而高压器件的设计和工艺制造比较复杂,并且随着高压部分的工作电压越来越高,高压器件的隔离将变得更加困难,成本也越来越高。此外,在设计过程中,若没有这种耐高压的晶体管,将会导致整个设计无法进行。
发明内容
鉴于此,本申请的目的在于提供一种电平位移电路及电子设备,以改善现有电平位移电路对负载的耐压性能要求较高的问题。
本申请的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种电平位移电路,包括:恒流源、限压模块;所述限压模块与所述恒流源串接,形成电压抬升电路;所述电压抬升电路的第一连接端用于连接电源,所述电压抬升电路的第二连接端接地,所述限压模块与所述恒流源相连接的位置为第三连接端;所述限压模块,用于限制所述第三连接端输出的电压大小;所述第一连接端用于输出高位电压VDDH,所述第三连接端用于输出中位电压VB,所述第一连接端和所述第三连接端用于为负载供电,使得所述负载的耐压差为VDDH-VB。本申请实施例中,该电平位移电路的压差为VDDH-VB,能极大的降低对负载耐压性能的要求,使得负载的耐压差为VDDH-VB,而不再是传统的VDDH,使得电平位移电路的应用场景更灵活。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述限压模块包括:串接的多个二极管;所述多个二极管中的第一个二极管的阳极与所述第一连接端连接,所述第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极连接,所述第二个二极管的阴极与第三极管的阳极连接,以此类推,最后一个二极管的阴极与所述第三连接端连接;或者,所述多个二极管中的第一个二极管的阳极与所述第三连接端连接,所述第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极连接,所述第二个二极管的阴极与第三极管的阳极连接,以此类推,最后一个二极管的阴极与所述第二连接端连接。本申请实施例中,采用多个二极管串接的方式来起到限制第三连接端的输出电压的大小的目的,在保证其功能的情况下,采用常见的二极管能降低成本。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述限压模块包括:串接的多个电阻。本申请实施例中,采用多个电阻串接的方式来起到限制第三连接端的输出电压的大小的目的,在保证其功能的情况下,采用常见的二极管能降低成本。
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