[发明专利]具有从导通到长突发结束的电流和增益补偿的RF功率放大器在审
| 申请号： | 202111660135.7 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116073776A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 洛塔尔·约翰尼斯·马里亚·穆西奥尔;郑泰源 | 申请（专利权）人： | 贝雷克斯公司 |
| 主分类号： | H03F3/24 | 分类号： | H03F3/24;H03F1/30 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 通到 突发 结束 电流 增益 补偿 rf 功率放大器 | ||
1.一种用于在信号突发间隔期间调整放大器输出增益的射频(RF)功率放大器结构和电路，包括：
放大器晶体管，控制输出电流并为所述输出电流提供增益，所述输出电流在耦合到所述晶体管的输出端子的电压源和地之间流动；
第一电路，包括镜像电流电路，在通过电阻耦合到所述放大器晶体管的输入端子的第一端子提供偏置电压；以及
第二电路，在所述第一端子处连接到所述镜像电流电路，提供信号以在所述信号突发间隔的导通部分之后修改所述偏置电压，其中，所组合电路在所述信号突发间隔的所述导通部分之后减小放大器增益，以补偿由于在导通事件之后所述放大器晶体管中的热自热引起的放大器增益的增加，从而在整个所述信号突发间隔期间提供均匀的增益。
2.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述第二电路的动作使得所述放大器增益在由时间常数表征的时间间隔内缓慢地上升到设计目标值。
3.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述第二电路包括电阻-电容网络。
4.根据权利要求2所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述第二电路包括电阻-电容网络。
5.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述第二电路包括一个电极连接到所述第一端子的电容和连接在所述电容的第二电极和地之间的电阻。
6.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述第二电路包括放置在所述镜像电流电路内部的电阻-电容网络。
7.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，还包括第三电路，用于在所述突发信号间隔结束时关断所述放大器电路。
8.根据权利要求3所述的RF功率放大器结构和电路，还包括第三电路，用于向所述电阻-电容网络提供放电能力来在所述突发信号间隔结束时关断所述放大器电路。
9.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述第二电路包括运算放大器并放置在所述镜像电流电路内部。
10.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述放大器结构和电路是集成电路。
11.根据权利要求4所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述放大器结构和电路是集成电路，并且当所需电容值太大而无法集成时，所述电阻-电容网络中的所述电容能够是外部电容。
12.根据权利要求5所述的RF功率放大器结构和电路，还包括第三电路，用于通过在所述第一端子和地之间设置放电开关，在所述突发信号间隔结束时关断所述放大器电路。
13.根据权利要求1所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述放大器晶体管是双极晶体管和CMOS晶体管之一。
14.根据权利要求5所述的RF功率放大器结构和电路，其中，所述电阻-电容网络包括10K欧姆的电阻和100nF的电容。
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