[发明专利]一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法有效
| 申请号： | 202111660435.5 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114211067B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 汉晶;孟洲;郭福;马立民;晋学轮;曹恒;李腾;贾强;周炜;王晓露 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20;B23K3/04;B23K3/08;B23K35/02;B23K35/28 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人： | 许佳 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 预制 imc 形成 多晶 结构 方法 | ||
1.一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将Sn-Ag-Bi-In系焊料通过漏网漏印在玻璃板上；
(2)将漏印后的焊料加热重熔形成Sn-Ag-Bi-In系焊球，冷却；
(3)清洗所述Sn-Ag-Bi-In系焊球；
(4)挑选与焊盘尺寸一致的Sn-Ag-Bi-In系焊球备用；
(5)超声条件下清洗印制电路板；
(6)在所述印制电路板上涂覆助焊剂；
(7)将预制的Sn-Ag-Bi-In系焊球放在印制电路板表面的铜片上，加热使焊球重熔，与印制电路板上的铜片结合，冷却；
(8)使用硝酸-乙醇-水溶液对步骤(7)焊后的凸点结构进行腐蚀，保证腐蚀完所有Sn，保留Cu-Sn界面处的IMCs，所述步骤(8)硝酸-乙醇-水溶液中三者的体积比依次为1：1：8；
(9)在(8)中完成的印制电路板铜片上仅剩IMC的焊盘表面涂覆助焊剂；
(10)将步骤(4)的Sn-Ag-Bi-In系焊球放在IMC焊盘上，加热使焊球重熔并与IMC焊盘结合，冷却；
(11)将(10)中完成的凸点结构倒置于已涂覆助焊剂的印制电路板平行且完全对齐放置；
(12)将(11)中完成的结构加热，使焊球重熔并保证与IMC焊盘和印制电路板重熔结合，冷却；
(13)研磨焊点至中间最大截面，并进行精抛，最终获得多晶结构焊点；
所述步骤(7)、(10)和(12)中的重熔，温度范围为200℃～300℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)Sn-Ag-Bi-In系焊料为无铅钎料。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)通过热风焊设备形成Sn-Ag-Bi-In系焊球。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)先后使用丙酮和乙醇清洗Sn-Ag-Bi-In系焊球。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)、(7)、(10)、(12)中冷却方式，选择随炉冷却、空冷或水冷的冷却方式。
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