[发明专利]一种固态硬盘中FRT表的获取方法及装置

说明书

本发明提供了一种固态硬盘中FRT表的获取方法，包括，FRT原始数据处理，将NAND测试获取的FRT数据汇总于lower page all list,middle page all list,upper page all list列表，用于表示A、B、C、D、E、F、G轴数据，所述的lower page all list表，包含FRT1、FRT2、FRT3三组数据；获取FRT1、FRT2、FRT3的数据位置偏移表；从FRT原始数据表中提取A、B、C、D、E、F、G轴数据；重组FRT表，将提取的A、B、C、D、E、F、G轴数据进行重组并将生成的数据保存到文件中。本发明的通过对NAND测试获取的偏移电压表进行脚本分析，最终获取到SSD固件中应用的FRT表，将FRT表应用到SSD固件中，极大程度的降低读错误的发生。

技术领域

本发明涉及文件管理技术领域，尤其涉及一种固态硬盘中的FRT表中的获取方法及装置。

背景技术

SSD作为存储设备的主力产品，技术发展和产品应用也是快速发展。SSD由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成；基于闪存的固态硬盘是固态硬盘的主要类别，其内部构造十分简单，固态硬盘内主体其实就是一块PCB板，而这块PCB板上最基本的配件就是控制芯片，缓存芯片(部分低端硬盘无缓存芯片)和用于存储数据的闪存芯片。随着信息技术相关产业的快速发展，对存储设备的需求也变的越来越大，目前SSD广泛应用于军事、工控、视频监控、网络监控、网络终端、银行、医疗、航空等领域。

Nand Flash是一种非易失性存储器，固态硬盘的主控芯片必须对这些错误进行处理。目前绝大部分SSD使用的存储介质是Nand Flash，由于Nand Flash本身物理结构，其基本存储单元是浮栅晶体管，因电荷泄漏、氧化层老化等物理特性，Nand Flash在使用过程中会受漂移效应、过度编程效应、读操作干扰、温度等因素的影响，不可避免会发生读错误、编程失败或擦编程失败等错误，导致出现比特位反转的现象，SSD采用FRT表进行上述数据纠错。Nand Flash在生命周期内伴随着漂移效应、过度编程效应、读操作干扰、温度等因素的影响，最优的读参考电压也会发生偏移，造成读错误。

基于上述问题，研究出一种获取SSD中FRT表的方法。通过对NAND测试获取的偏移电压表进行脚本分析，最终获取到SSD固件中应用的FRT表，将FRT表应用到SSD固件中，可以很大程度的降低读错误。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种固态硬盘中FRT表的获取方法及装置，用以解决现有技术中参考电压发生偏移，出现读错误情况的问题。

基于上述目的，本发明提供了一种固态硬盘中FRT表的获取方法，包括以下步骤：

步骤101、FRT原始数据处理；

将NAND测试获取的FRT数据汇总于lower page all list、middle page alllist、upper page all list列表，其中lower page all list的最小元素“[A,E]”格式，用于为表示A轴、E轴数据，middle page all list最小元素为“[B,D,F]”格式，用于表示B轴、D轴和F轴数据，upper page all list最小元素为“[C,G]”格式，用于表示C轴和G轴数据；所述的lower page all list表，用于确定擦写次数PE、数据保存时间；lower page all list包含FRT1、FRT2、FRT3三组数据；

步骤102、获取FRT1、FRT2、FRT3的数据位置偏移表；

步骤103、从FRT原始数据表中提取A、B、C、D、E、F、G轴数据；

步骤104、重组FRT表，将提取的A、B、C、D、E、F、G轴数据进行重组并将生成的数据保存到文件中。

在一些实施例中，方法还包括：