[发明专利]一种基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法

权利要求书

1.一种基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取多系焊球和待焊电路板；所述多系焊球由Sn-Ag-Bi-In系焊料制作；

对所述多系焊球和所述待焊电路板进行焊球焊接操作，得到PCB凸焊点；将制取的多系焊球放在PCB板表面的铜片上并用热风焊设备加热使焊球重熔并与PCB板上的铜片结合，重熔温度为245℃，重熔时间为30s，随炉冷却30s，得到PCB凸焊点；

对所述PCB凸焊点进行老化处理，得到改性凸焊点；所述老化处理的方法包括：将得到PCB凸焊点放入恒温加热炉中保温10天，炉内温度为150℃，对其进行老化处理，得到改性凸焊点；

对所述改性凸焊点进行腐蚀处理，得到IMC焊盘；所述腐蚀处理的方法包括：使用硝酸-乙醇-水溶液，体积比1：1：8的硝酸醇溶液对制取的凸焊点进行腐蚀处理，并通过金相显微镜实时观察，以保证腐蚀完所有Sn，并只保留Cu-Sn界面处的IMCs，得到IMC焊盘；

对所述多系焊球和所述IMC焊盘进行焊球焊接操作，得到多晶结构焊点；在制取的PCB板铜片上仅剩IMC焊盘表面涂覆助焊剂，再取多系焊球放在IMC焊盘上并用热风焊设备进行焊球焊接操作，通过加热使多系焊球重熔并与IMC焊盘结合，重熔温度为245℃，重熔时间为30s，随炉冷却30s；

将冷却后的焊点倒置与已涂覆好助焊剂的PCB板平行且完全对齐放置，再次使用热风焊设备加热使多系焊球重熔，并保证与IMC焊盘和PCB板结合，重熔温度为245℃，重熔时间为30s，设备冷却30s，得到多晶结构焊点。

2.根据权利要求1所述的基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，其特征在于，获取所述多系焊球的方法还包括：

在超声波环境下，使用有机溶剂对所述多系焊球进行清洁处理。

3.根据权利要求2所述的基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙酮和乙醇。

4.根据权利要求1所述的基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，其特征在于，获取所述待焊电路板的方法包括：在超声波环境下，使用有机溶剂清洗用于焊接的电路板表面，并在所述电路板表面涂覆助焊剂，得到所述待焊电路板。

5.根据权利要求1所述的基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，其特征在于，所述焊球焊接操作的温度条件为220-270摄氏度。