[发明专利]紫外灯预处理方法、预处理装置以及紫外灯固化工艺系统在审
申请号: | 202111662037.7 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114300341A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 汤雨竹;藤天娇 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;C23C16/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陕芳芳 |
地址: | 110170 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外 预处理 方法 装置 以及 固化 工艺 系统 | ||
本申请公开一种紫外灯预处理方法、处理装置以及紫外灯固化工艺系统,设定紫外灯光强的预设波动范围,并检测所述紫外灯的光强,当所述紫外灯的光强的波动范围处于所述预设波动范围内,则警示紫外灯预处理完毕。本申请在进行紫外线固化工艺之前,预先对紫外灯进行预处理,使其波动范围稳定后再进行紫外线固化工艺,从而提高工艺性能的稳定性,减少对致孔剂去除、氧化物网格交联作用的不利影响。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种紫外灯预处理方法、预处理装置以及紫外灯固化工艺系统。
背景技术
在化学气相沉积工艺中,会使用紫外线固化工艺作为后处理工艺,以处理沉积形成的低介电常数薄膜,具体是通过紫外线固化将薄膜中致孔剂去除,以获得超低介电常K。但实际处理过程中,会出现致孔剂去除效果欠佳、氧化物网格交联作用受到不良影响等问题。
发明内容
本申请实施例提供一种紫外灯预处理方法,设定紫外灯光强的预设波动范围,并检测所述紫外灯的光强,当所述紫外灯的光强的波动范围处于所述预设波动范围内,则警示紫外灯预处理完毕。
在一种具体方式中,当紫外灯的光强的波动范围处于所述预设波动范围内,则控制所述紫外灯关闭。
在一种具体方式中,控制紫外灯按照反复多次开、关,并检测所述紫外灯的光强。
在一种具体方式中,所述紫外灯设置在工作位置,所述紫外灯的光强的波动范围处于所述预设范围内后,直接进行所述紫外灯的使用;或者,所述紫外灯的光强的波动范围处于所述预设范围内后,将所述紫外灯安装到所述工作位置进行使用。
本申请还提供一种紫外灯预处理装置,包括检测组件、警示装置以及控制模块,所述控制模块设定所述紫外灯光强的预设波动范围,所述检测组件用于检测所述紫外灯的光强并传输至所述控制模块,所述控制模块根据检测的光强判断所述紫外灯的光强的波动范围处于所述预设波动范围内,则控制所述警示装置输出警示信号。
在一种具体方式中,还包括控制所述紫外灯开、关的开关装置,所述控制模块判断所述紫外灯的光强的波动范围处于所述预设波动范围内,则控制所述开关装置关闭。
在一种具体方式中,还包括定时开关装置,所述定时开关装置控制所述紫外灯反复多次开、关,所述检测组件检测反复多次开、关过程中所述紫外灯的光强。
在一种具体方式中,所述紫外灯预处理装置包括灯罩,所述紫外灯设置在所述灯罩内部,所述紫外灯预处理装置还包括设置在所述灯罩下方的箱体,所述灯罩的下端开口与所述箱体相通,或所述灯罩与所述箱体之间设置透明隔板,所述检测组件设于所述箱体内。
本申请还提供一种紫外灯固化工艺系统,包括第一腔体结构和第二腔体结构,所述第一腔体结构内设有紫外灯,所述第二腔体结构内用于装载待处理部件,所述紫外灯用于照射所述待处理部件,还包括上述任一项所述的紫外灯预处理装置,且所述紫外灯预处理装置的所述检测组件设置在所述第二腔体结构内。
本申请实施例中,在进行紫外线固化工艺之前,预先对紫外灯进行预处理,使其波动范围稳定后再进行紫外线固化工艺,从而提高工艺性能的稳定性,减少对致孔剂去除、氧化物网格交联作用的不利影响。
附图说明
图1为本申请第一实施例中紫外灯预处理装置的示意图;
图2为本申请第一实施例中紫外灯预处理方法的流程图;
图3为本申请第二实施例中紫外灯固化工艺系统的结构示意图;
图4为本申请第二实施例中紫外灯预处理方法的流程图;
图5为本申请第三实施例中紫外灯固化工艺系统的结构示意图;
图6为本申请第三实施例中紫外灯预处理方法的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拓荆科技股份有限公司,未经拓荆科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111662037.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造