[发明专利]一种边射型激光元件在审
| 申请号： | 202111662184.4 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114361935A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 欧政宜;林志远;纪政孝 | 申请（专利权）人： | 兆劲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市中科云策知识产权代理有限公司 44862 | 代理人： | 章明美;陈科恒 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 边射型 激光 元件 | ||
1.一种边射型激光元件，其特征在于，包括
基底(11)；
第一n型披覆层(12)，所述第一n型披覆层(12)设置于所述基底(11)的上方；
光栅层(G)，所述光栅层(G)设置于所述第一n型披覆层(12)的上方；
间隔层(S)，所述间隔层(S)设置于所述光栅层(G)的上方；
下光局限单元(13)，所述下光局限单元(13)设置于所述间隔层(S)的上方；
主动层(14)，所述主动层(14)设置于所述下光局限单元(13)的上方；
上光局限单元(15)，所述上光局限单元(15)设置于所述主动层(14)的上方；
p型披覆层(16)，所述p型披覆层(16)设置于所述上光局限单元(15)的上方；
穿隧接面层(17)，所述穿隧接面层(17)设置于所述p型披覆层(16)的上方；
第二n型披覆层(18)，所述第二n型披覆层(18)设置于所述穿隧接面层(17)的上方。
2.根据权利要求1所述的一种边射型激光元件，其特征在于，所述穿隧接面层包括蚀刻停止层。
3.根据权利要求2所述的一种边射型激光元件，其特征在于，所述穿隧接面层(17)的材料为磷砷化铟镓、砷化铝镓铟、砷化铟镓或砷化铝铟。
4.根据权利要求1所述的一种边射型激光元件，其特征在于，所述边射型激光元件的光场(L)与所述主动层(14)的耦合是在所述主动层(14)厚度的中间位置。
5.一种边射型激光元件，其特征在于，包括
基底(11)；
第一n型披覆层(12)，所述第一n型披覆层(12)设置于所述基底(11)的上方；
下光局限单元(13)，所述下光局限单元(13)设置于所述第一n型披覆层(12)的上方；
主动层(14)，所述主动层(14)设置于所述下光局限单元(13)的上方；
上光局限单元(15)，所述上光局限单元(15)设置于所述主动层(14)的上方；
p型披覆层(16)，所述p型披覆层(16)设置于所述上光局限单元(15)的上方；
穿隧接面层(17)，所述穿隧接面层(17)设置于所述p型披覆层(16)的上方；
下第二n型披覆层(181)，所述下第二n型披覆层(181)设置于所述穿隧接面层(17)的上方；
光栅层(G)，所述光栅层(G)设置于所述下第二n型披覆层(181)的上方；
上第二n型披覆层(182)，所述上第二n型披覆层(182)设置于所述光栅层(G)的上方。
6.根据权利要求5所述的一种边射型激光元件，其特征在于，所述穿隧接面层(17)包括蚀刻停止层，所述穿隧接面层(17)的材料为磷砷化铟镓、砷化铝镓铟、砷化铟镓或砷化铝铟。
7.根据权利要求5所述的一种边射型激光元件，其特征在于，所述边射型激光元件的光场(L)与所述主动层(14)的耦合是在所述主动层(14)厚度的中间位置。
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