[发明专利]电感、电路板集成电感、电源管理芯片及电子设备

权利要求书

1.一种电感，其特征在于，包括：

线圈层，所述线圈层具有线圈；以及

磁膜层，所述磁膜层设置于所述线圈层的一侧，所述磁膜层包括磁性合金，所述磁膜层的等效电导率σ的范围为4KS/m≤σ≤600KS/m；所述磁膜层的相对磁导率μr的范围为500≤μr≤6000。

2.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，在1MHz的频率下，所述磁膜层的集肤深度δ的范围为8.4μm≤δ≤103μm。

3.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，所述磁性合金为改性磁性合金，所述改性磁性合金包括铬掺杂的铁镍合金、铬掺杂的铁钴合金、铬掺杂的铁硅铝合金中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的电感，其特征在于，所述磁膜层包括依次交替层叠设置的磁膜子层及金属氧化物层，所述磁膜子层为所述改性磁性合金层，所述金属氧化物层包括所述改性磁性合金中的至少一种金属的氧化物。

5.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，所述磁膜层包括依次交替层叠设置的绝缘子层及磁膜子层，所述绝缘子层包括二氧化硅、氧化铝中的至少一种，所述磁膜子层包括磁性合金。

6.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，当所述线圈的匝数为1，最大电流为3A时，所述电感的感量L与所述磁膜层的最大磁感应强度Bm的比值的范围为3.8nH/T≤L/Bm≤18.1nH/T。

7.根据权利要求1所述的电感，其特征在于，所述电感还包括磁胶层，所述磁胶层设置于所述线圈层与磁膜层之间；所述磁膜层的磁导率大于所述磁胶层的磁导率。

8.根据权利要求7所述的电感，其特征在于，所述磁胶层包括树脂及磁性颗粒，所述磁性颗粒分散于所述树脂中；所述树脂包括环氧树脂、聚氨酯及丙烯酸酯中的至少一种；所述磁性颗粒包括铁氧体颗粒、磁性金属颗粒、磁性合金颗粒中的至少一种；所述铁氧体包括MnZn铁氧体、NiZn铁氧体中的至少一种；所述磁性金属颗粒包括铁、钴、镍中的至少一种；所述磁性合金颗粒包括铁基晶态合金、铁基非晶合金、钴基非晶合金中的至少一种；所述铁基晶态合金包括FeNi合金、FeCo合金、FeAl合金、FeSiAl合金、FeNiMo合金、FeC合金中的至少一种；所述铁基非晶合金包括FeSiB合金、FeB合金、FeNiPB合金、FeNiMoB合金中的至少一种；所述钴基非晶合金包括CoFeSiB合金、CoFeCrSiB合金、CoNiFeSiB合金中的至少一种。

9.根据权利要求7所述的电感，其特征在于，所述电感还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述线圈层与所述磁胶层之间。

10.一种电源管理芯片，其特征在于，所述电源管理芯片包括电源电路及权利要求1-9任一项所述的电感，所述电感与所述电源电路电连接。

11.一种电路板集成电感，其特征在于，包括：

电路板，所述电路板包括基板及线圈，所述线圈嵌设于所述基板；以及

磁膜层，所述磁膜层设置于所述电路板的一侧，且所述磁膜层与所述线圈至少部分交叠，所述磁膜层包括磁性合金，所述磁膜层的等效电导率σ的范围为4KS/m≤σ≤600KS/m；所述磁膜层的相对磁导率μr的范围为500≤μr≤6000。

12.根据权利要求11所述的电路板集成电感，其特征在于，在1MHz的频率下，所述磁膜层的集肤深度δ的范围为8.4μm≤δ≤103μm；当所述线圈的匝数为1，最大电流为3A时，所述电路板集成电感的感量L与所述磁膜层的最大磁感应强度Bm的比值的范围为3.8nH/T≤L/Bm≤18.1nH/T。

13.根据权利要求11所述的电路板集成电感，其特征在于，所述磁性合金为改性磁性合金，所述改性磁性合金包括铬掺杂的铁镍合金、铬掺杂的铁钴合金、铬掺杂的铁硅铝合金中的至少一种。