[发明专利]光敏元件的制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种光敏元件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；

通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；

分别对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入生成第一掺杂区，在对衬底任一面进行离子注入时，通过保护膜保护衬底另一面；

对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；

通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；

对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。

2.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述衬底的厚度为300μm。

3.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，在所述分别对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入生成第一掺杂区，在对衬底任一面进行离子注入时，通过保护膜保护衬底另一面的步骤中，包括：对衬底正面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入，并通过蓝膜保护衬底背面，对衬底背面进行离子注入，并通过蓝膜保护衬底正面和第一氧化层。

4.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，在所述对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区的步骤之后，还包括：通过在高温炉内进行高温推结，在第二掺杂区的正面、第二氧化层的正面以及第二氧化层的背面分别生长牺牲层。

5.根据权利要求4所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，在所述通过在高温炉内进行高温推结，在第二掺杂区的正面、第二氧化层的正面以及第二氧化层的背面分别生长牺牲层的步骤之后，还包括：通过漂酸的方式去除牺牲层、部分第二氧化层以及第二氧化层表面残留的有机物。

6.根据权利要求5所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，在所述通过漂酸的方式去除牺牲层、部分第二氧化层以及第二氧化层表面残留的有机物的步骤之后，还包括：在第二掺杂区的正面以及第二氧化层的正面通过化学气相沉积的方式形成减反层。

7.根据权利要求6所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，在所述第二掺杂区的正面以及第二氧化层的正面沉积减反层的步骤之后，还包括：通过湿法刻蚀的方式在减反层上刻蚀出引线孔。

8.根据权利要求7所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，在所述通过湿法刻蚀的方式在减反层上刻蚀出引线孔的步骤之后，还包括：在引线孔上生长第一电极，并在第一掺杂区的背面生长第二电极。

9.根据权利要求1所述的光敏元件的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区为P+掺杂区，所述第二掺杂区为N+掺杂区，所述衬底为P型单晶硅区熔片。

10.一种半导体器件，采用权利要求1-9任一项所述的光敏元件的制备方法制成，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底；

第一掺杂区，掺杂于所述衬底背面以及所述衬底正面的周侧；

第二掺杂区，掺杂于所述衬底正面的中心位置；

第一氧化层，形成于所述衬底正面；以及，

第二氧化层，形成于所述第一氧化层背离所述衬底的一侧。